三菱電機（www.MitsubishiElectric-mesh.com）今年以“創新功率器件構建可持續未來”為題，攜帶九款全新功率器件，于6月24至26日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2015(展位號4A08)中隆重亮相。

 

今年展出的功率器件應用范圍跨越五大領域，包括：工業傳動、光伏發電、變頻家電、軌道牽引及電動汽車，致力為客戶提供高性能及低損耗的產品。

                                                                       

工業及光伏發電市場

針對工業光伏逆變器市場的需要，三菱電機將展出四款新型功率模塊，包括第7代IGBT模塊、DIPIPM+模塊、4in1 T型三電平逆變器用IGBT模塊及1in1三電平逆變器用IGBT模塊。

 

這次展出的第7代IGBT模塊，特別適用于通用變頻器。它采用了第7代IGBT硅片和二極管硅片；具有650V、1200V和1700V三種電壓等級；提高利用門極電阻優化dv/dt的可控性；涵蓋模塊電流100A至1000A；采用預涂熱界面材料(TIM)，與傳統硅脂相比，模塊與散熱器的接觸熱阻降低50%。它繼承現有的統一封裝(NX)和傳統封裝(A/NF/MPD)，適應不同的結構設計需求；NX封裝具有焊接方式和壓接方式兩種控制端子。

圖片說明：第7代IGBT模塊

 

整流逆變制動一體化模塊DIPIPM+則完整地集成整流橋、逆變橋、制動單元以及相應的驅動保護電路。 它采用第7代CSTBT^TM硅片；提供短路保護和欠壓保護；內置自舉二極管； 提供LVIC溫度模擬量輸出功能；額定電流覆蓋50A/600V和5~35A/1200V。采用該款模塊設計通用變頻器，可以較大程度地簡化布線設計，縮小基板面積，縮短開發周期；同時還可以降低布線電感及濾波器成本，使噪聲設計變得簡單。

圖片說明：整流逆變制動一體化模塊DIPIPM+

 

4in1 T型三電平逆變器用IGBT模塊, 是專門為提高光伏發電效率而開發的400A模塊， 半橋采用第6.1代1200V IGBT硅片，交流開關采用第7代650V IGBT硅片，損耗低、允許結溫高達175℃；內部雜散電感小，正負端子之間為32nH、正零端子之間為和零負端子之間均27nH；絕緣耐壓高達4000Vrms/1min；更采用了易于并聯的封裝結構。

圖片說明：4in1 T型三電平逆變器用IGBT模塊

 

在1in1三電平逆變器用IGBT模塊中，1200V級和1700V級均采用第6代IGBT硅片，實現更低損耗，方便客戶根據不同需要構建I型或者T型三電平拓撲；模塊內部雜散電感小，一單元模塊為8nH，兩單元模塊為12nH。絕緣耐壓高達4000Vrms/1min，結溫較高可達175℃。

圖片說明：1in1三電平逆變器用IGBT模塊

 

三菱電機大中國區半導體總經理四個所大亮先生稱：“三菱電機承持可持續發展信念，不斷研發高性能、高可靠性及小型化的功率器件，來滿足電力電子市場的需要。對于功率器件市場的前景，我們抱持十分樂觀的態度，隨著中國政府加大力度治理環境，必將給新能源利用產業帶來更大的發展空間。”

 

變頻家電市場                                                                                                         

對于變頻家電應用，三菱電機這次特別推介兩款產品，分別為SJMOS DIPIPM^TM模塊與專為變頻冰箱及變頻風機設計的SLIMDIP模塊。

 

SJMOS DIPIPM^TM模塊采用IGBT和SJMOS并聯技術，達至同時優化小電流段和大電流段的損耗，封裝和功能完美，兼容第6代超小型DIPIPM模塊。

圖片說明： SJMOS DIPIPM^TM模塊

 

SLIMDIP則采用第3代RC-IGBT技術，集成短路保護和欠壓保護，內置自舉二極管（和限流電阻），同時提供LVIC溫度模擬量輸出版本和過溫保護版本，封裝面積比超小型DIPIPM^TM縮小達30%。

圖片說明： SLIMDIP模塊

 

軌道牽引及電動汽車驅動市場

在PCIM 2015亞洲展上，三菱電機為軌道牽引領域帶來兩款新的功率模塊，分別為X系列HVIGBT模塊及下一代兩單元HVIGBT模塊，可應用于牽引變流器及直流輸電變流子模塊；而J1系列車用IGBT模塊則適用于電動汽車驅動器。

 

X系列是較新一代HVIGBT模塊，進一步提升了3.3kV/4.5kV/6.5kV等級的額定電流；使用了第7代IGBT和RFC Diode硅片技術，實現更低飽和壓降和開關損耗。它同時采用LNFLR技術，實現低熱阻；并有更寬的安全工作區。針對電力傳輸應用而開發的6500V/1000A單管HVIGBT模塊已率先發布。

圖片說明：X系列HVIGBT模塊

 

至于下一代兩單元HVIGBT模塊，將提供三個電壓等級3.3kV/450A、4.5kV/400A及6.5kV/275A，均采用全新封裝，實現更低的雜散電感及更易于并聯，其絕緣耐壓達10.4kVrms/1min。

圖片說明：下一代兩單元HVIGBT模塊

 

J1系列車用IGBT模塊專為電動汽車驅動器設計，是采用Pin-fin底板的六合一IGBT模塊。它采用第7代IGBT硅片技術及高可靠性的DLB(直接主端子綁定)技術，以及基于硅片的溫度和電流檢測技術；與傳統的結構相比，熱阻降低40%，安裝面積減小40%。三菱電機將提供包括驅動電路、冷卻水套及薄膜電容的整體解決方案技術支持，以方便客戶快速應用該模塊實現車用逆變器的設計。

圖片說明：J1系列車用IGBT模塊

 

三菱電機機電（上海）有限公司簡介

三菱電機創立于1921年，是全球知名的綜合性企業集團。在2014年的《財富》500強排名中，名列第273。

作為一家技術主導型的企業，三菱電機擁有多項領先技術，并憑強大的技術實力和良好的企業信譽在全球的電力設備、通信設備、工業自動化、電子元器件、家電等市場占據著重要的地位。

三菱電機機電（上海）有限公司把弘揚國人智慧，開創機電新紀元視為責無旁貸的義務與使命。憑借優越的技術與創造力貢獻產業的發展以促進社會繁榮。

三菱電機半導體產品包括三菱功率模塊（IGBT、IPM、DIPIPM^TM、HVIGBT、MOSFET等）、三菱微波/射頻和高頻光器件、光模塊等產品，其中三菱功率模塊在電機控制、電源和白色家電的應用中有助于您實現變頻、節能和環保的需求；而三菱系列光器件和光模塊產品將為您在各種模擬/數字通訊、有線/無線通訊等應用中提供解決方案。

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