飛思卡爾推出突破性的超寬帶RF功率GaN晶體管，采用先進塑封

這兩款新產品提供了前所未有的RF PA帶寬和熱性能，非常適合新一代軍用和民用通信應用

2015年5月18日，亞利桑那州鳳凰城訊（2015年國際微波會議）－射頻（RF）功率晶體管領域的全球領導者飛思卡爾半導體[NYSE:FSL]日前推出兩款采用全新先進塑料封裝的超寬帶RF功率氮化鎵(GaN)晶體管。借助這些新型封裝和產品，飛思卡爾正在釋放GaN性能的真正潛力，并在提供業界較佳性能的GaN器件方面，已經取得了重大突破。

飛思卡爾高級副總裁兼射頻業務部總經理Paul Hart表示：“借助這兩款業界領先帶寬的產品，我們的客戶采用一個射頻器件替換兩個甚至三個獨立的RF PA器件，大大降低了系統成本。 此外，這些器件具有超低的熱阻，可使客戶降低冷卻系統的成本，而且它們能夠以全連續波(CW)額定功率運行，滿足更高溫度的應用情況。” 

OM-270新封裝提供雙引腳和八引腳配置，還可將飛思卡爾專用OMNI™ RF塑封技術拓展至較小外形封裝中，并增加與GaN的兼容性。

飛思卡爾Fellow兼RF封裝開發部負責人Mali Mahalingam表示：“我們不斷創新，采用冶金方式將GaN-on-SiC芯片與銅法蘭相結合，然后將它們模壓塑形，實現前所未有的熱性能。此外，這種新封裝的平臺支持復雜的內部匹配方案，實現卓越的寬帶性能。”

飛思卡爾以下兩個封裝的RF功率GaN晶體管充分利用這種先進的封裝技術，提高性能水平：

·        MMRF5015N：這是一款真正的CW超帶寬GaN晶體管，功率為100W，電壓為50V，非常適合高功率軍用和民用通信系統。MMRF5015N的熱阻不到0.8°C/W，這表明它比同類競爭產品的熱阻性能高30%以上。MMRF5015N樣品可以在評估套件中提供，展示前所未有的200-2500MHz帶寬，實現全頻段天線至少12db的增益和40%的效率提高。

·        MMRF5011N：這是一款真正的CW超帶寬晶體管，功率為10W，電壓為28V，在可用應用電路中帶寬為200-2600MHz。MMRF5011非常適合更低功耗的軍用和民用手持無線電通信設備，現在已開始提供樣品。

飛思卡爾將在2015年國際微波會議(IMS)第3031號展位展示和演示這些晶體管。

這兩款新產品計劃2015年第三季度批量生產，它們包含在飛思卡爾產品長期供貨計劃內，因為所有產品都屬于射頻軍用產品組合。 如需設定相關條款和條件，并獲得我們的產品長期供貨計劃中所列的產品列表，請訪問：www.Freescale.com/productlongevity.

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飛思卡爾半導體（NYSE:FSL）為未來互聯網提供安全可靠的嵌入式處理解決方案。我們的解決方案幫助實現更多創新，讓世界緊密連接，生活更便捷和安全。飛思卡爾的客戶包括全球規模較大的公司，并且，我們致力于對科學、技術、工程和數學(STEM)方面教育的支持，推動新生代的創新。如需了解更多信息，請訪問www.freescale.com

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飛思卡爾技術論壇(FTF)十年來基于業內較全面的嵌入式生態合作體系，促進創新與協作。飛思卡爾技術論壇提供客戶創建并實現安全的嵌入式解決方案所需的培訓和專業知識，幫助其滿足當今和未來物聯網的需求。飛思卡爾技術論壇為期4天，涵蓋飛思卡爾及其生態合作體系伙伴提供的深入培訓、實踐研討會及演示活動，并為業內同仁及高瞻遠矚者提供不可多得的合作機會。 該論壇已受到全球開發者社區的熱烈追捧，自2005年成立以來吸引了67500多名全球參與者。飛思卡爾美洲論壇將于2015年6月22日至25日在德克薩斯州奧斯汀隆重舉行。

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