2015年3月20日，德國慕尼黑和日本大阪訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）和松下電器公司（TSE代碼：6752）宣布，兩家公司已達成協議，將聯合開發采用松下電器的常閉式（增強型）硅基板氮化鎵（GaN）晶體管結構，與英飛凌的表貼（SMD）封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結構的許可。按照這份協議的規定，兩家公司均可生產高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合。雙方商定不披露任何其他合同細節。

 

作為新一代化合物半導體技術，硅基板GaN技術備受關注。一方面，它可以實現很高的功率密度，從而縮小設備的外形尺寸（如電源和適配器）；另一方面，它是提高能效的關鍵。一般而言，基于硅基板GaN技術的功率器件適用于各種領域，從高壓工業設備，如服務器電源（這也是600V GaN器件的潛在應用領域之一），到低壓設備，如直流-直流轉換器（如在高端消費電子產品中）。IHS發布的市場研究報告顯示，與硅基板GaN技術相關的功率半導體市場，將以高達50%以上的復合年增長率（CAGR）增長，也就是說，到2023年，其市場容量將從2014年的1500萬美元，增至8億美元。

 

英飛凌科技股份公司電源管理及多元化市場事業部總裁Andreas Urschitz表示：“英飛凌致力于為客戶提供各式各樣、出類拔萃的產品和技術組合，包括可靠的GaN功率器件。我們堅信，增強模式硅基板GaN開關器件，結合我們相應的驅動器和優化驅動方案，將為客戶創造價值，同時，這種雙重貨源概念將幫助客戶管理和穩定其供應鏈。”

 

松下電器半導體有限公司總裁Toru Nishida指出：“充分發揮我們在化合物半導體技術領域的豐富經驗，松下電器開發的常閉型GaN功率技術采用了簡單的配置和易于控制的機制。我們希望通過授權英飛凌使用我們的GaN功率技術中的常閉型GaN晶體管結構，促進GaN功率器件的推廣。我們將對常閉型GaN技術進行不斷創新，為打造滿足客戶需求的解決方案做出貢獻。”