意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM)推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶體管，其先進的能效與卓越的可靠性將為更多節(jié)能應(yīng)用帶來技術(shù)優(yōu)勢，包括純電動汽車和混合動力汽車的逆變器、太陽能或風(fēng)力發(fā)電、高能效驅(qū)動器、電源以及智能電網(wǎng)設(shè)備。

意法半導(dǎo)體是業(yè)界少數(shù)具有高可靠性、高能效碳化硅功率半導(dǎo)體研發(fā)的領(lǐng)導(dǎo)廠商之一，并始終致力于技術(shù)的研發(fā)與升級。這次推出的1200VSCT20N120進一步擴大了碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列，具有小于290mΩ的通態(tài)電阻(RDS(ON))及高達200°C的較大工作結(jié)溫等諸多特性優(yōu)勢；其高度穩(wěn)定的關(guān)斷電能(Eoff)和柵電荷(Qg)可使開關(guān)性能在整個工作溫度范圍內(nèi)表現(xiàn)始終如一。較終的低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗配合超低泄漏電流，將有助于簡化熱管理設(shè)計，并較大限度地提高可靠性。

除更低的電能損耗外，意法半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET的開關(guān)頻率也同樣出色，較同等級的硅絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 高出三倍，這讓設(shè)計人員能夠使用更小的外部元器件，進而降低產(chǎn)品尺寸、重量以及材料成本。SCT20N120的耐高溫性可大幅度簡化電源模塊、電動汽車等應(yīng)用的散熱系統(tǒng) (cooling-system) 設(shè)計。

SCT20N120采用意法半導(dǎo)體獨有的HiP247™封裝，其更高的熱效率可使管子在較大工作溫度高達200°C時，依然能夠維持與TO-247 工業(yè)標準功率封裝外觀兼容。

SCT20N120目前已開始量產(chǎn)，詳情請瀏覽：http://www.st.com/sicmos

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意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics; ST）是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，為客戶提供傳感器、功率器件、汽車產(chǎn)品和嵌入式處理器解決方案。從能源管理和節(jié)能技術(shù)，到數(shù)字信任和數(shù)據(jù)安全，從醫(yī)療健身設(shè)備，到智能消費電子，從家電、汽車，到辦公設(shè)備，從工作到娛樂，意法半導(dǎo)體的微電子器件無所不在，在豐富人們的生活方面發(fā)揮著積極、創(chuàng)新的作用。意法半導(dǎo)體代表著科技引領(lǐng)智能生活（life.augmented）的理念。

意法半導(dǎo)體2014年凈收入74.0億美元。詳情請訪問公司網(wǎng)站www.st.com。