采用5 mm x 6 mm QFN封裝并集成超低導通電阻的25 V和30 V器件

日前，德州儀器 (TI) 推出其NexFET™ 產品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業界較低導通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可應用于熱插拔和ORing應用。此外，TI面向低電壓電池供電型應用的新型12-V FemtoFET™ CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纖巧型封裝的情況下實現了比同類競爭器件低84% 的極低電阻。如需獲取更多信息、樣片或參考設計，敬請訪問：www.ti.com.cn/csd16570q5b-pr-cn。

CSD16570Q5B和CSD17570Q5B NexFET MOSFET可在較高電流條件下提供較高的電源轉換效率，同時在計算機服務器和電信應用中確保安全的運作。例如：25-V CSD16570Q5B 支持0.59 mΩ的較大導通電阻，而30-V CSD17570Q5B 則實現了0.69 mΩ 的較大導通電阻。請下載閱讀一款采用 TI CSD17570Q5B NexFET的12V、60A熱插拔參考設計，來進一步進行了解。

TI 的新型 CSD17573Q5B和CSD17577Q5A可與面向DC/DC控制器應用的LM27403配合使用，從而構成一套完整的同步降壓型轉換器解決方案。CSD16570Q5B 和 CSD17570Q5B NexFET功率MOSFET則可與諸如TPS24720等TI熱插拔控制器配套使用。閱讀 《穩健可靠的熱插拔設計》，可進一步了解如何將一個晶體管選用為傳輸元件，以及怎樣在所有可能的情況下確保安全運作。

如下是TI 推出具有業界較低導通電阻的NexFET™ N溝道功率MOSFE。

新型 NexFET 產品及主要特點