EPC2100氮化鎵功率晶體管為系統(tǒng)設(shè)計(jì)師提供具更高效率及功率密度的全降壓轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)在500 kHz、12 V轉(zhuǎn)1.2 V、10 A時(shí)實(shí)現(xiàn)接近93%峰值效率，以及在25 A時(shí)效率可高于90.5%。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出EPC2100 - 第一個(gè)可供商用的增強(qiáng)型單片式半橋氮化鎵晶體管。透過集成兩個(gè)eGaN功率場效應(yīng)晶體管形成單一元件可以去除互連電感及印刷電路板上的空隙。這樣可以提高效率（尤其是在更高頻率時(shí)）及功率密度并同時(shí)降低終端用戶的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的組裝成本。

在EPC2100半橋元件內(nèi)每一個(gè)器件的額定電壓是30 V。 上面的場效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）典型值是6 mΩ，下面的場效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通電阻典型值是1.5 mΩ。 高側(cè)場效應(yīng)晶體管的尺寸大約是低側(cè)器件的四分之一，具高V_IN/V_OUT比，在降壓轉(zhuǎn)換器可取得較優(yōu)直流-直流轉(zhuǎn)換效率。EPC2100使用晶片尺寸封裝以改善開關(guān)速度及散熱性能。其尺寸只是6 毫米(mm) x 2.3 毫米，功率密度更高。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官稱「現(xiàn)在設(shè)計(jì)師可利用氮化鎵技術(shù)所帶來的第一個(gè)范例 - 單片式eGaN 半橋器件系列，可節(jié)省空間、提高效率及降低系統(tǒng)成本。當(dāng)功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)延伸至數(shù)MHz的領(lǐng)域，集成多個(gè)分立器件變得更為重要以實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率及高功率密度。」

開發(fā)板

EPC9036開發(fā)板的尺寸為2英寸乘2英寸，包含一個(gè)EPC2100集成半橋元件，采用德州儀器的柵極驅(qū)動(dòng)器（LM5113）、電源及旁路電容。電路板的版圖設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)較優(yōu)開關(guān)性能并設(shè)有多個(gè)探孔使得用戶可易于測量簡單的波形及計(jì)算效率。

價(jià)格及供貨

EPC2100單片式半橋元件的價(jià)格在一千批量時(shí)的單價(jià)為$5.81美元。 EPC9036開發(fā)板的單價(jià)為$137.75美元。

以上產(chǎn)品已經(jīng)可以供貨，可透過Digikey公司購買，網(wǎng)址為http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en。

關(guān)于氮化鎵場效應(yīng)晶體管（eGaN FET）的設(shè)計(jì)信息及支持

·  下載EPC2100數(shù)據(jù)表

·  EPC9036 速查指南

·  應(yīng)用筆記：氮化鎵集成元件可實(shí)現(xiàn)更高直流-直流效率及功率密度：http://bit.ly/EPCan018

·  視頻：利用集成氮化鎵功率器件提高效率及功率密度

https://www.youtube.com/user/EPCCorporation

宜普電源轉(zhuǎn)換公司簡介

宜普公司（www.epc-co.com.cn）是基于增強(qiáng)型氮化鎵的功率管理器件的領(lǐng)先供應(yīng)商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管，其目標(biāo)應(yīng)用包括直流- 直流轉(zhuǎn)換器、 無線電源傳送、 包絡(luò)跟蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、 光學(xué)遙感技術(shù)（LiDAR） 及 D類音頻放大器 等應(yīng)用，器件性能比較好的硅功率MOSFET高出很多倍。

商標(biāo)

eGaN^® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉(zhuǎn)換公司的注冊商標(biāo)。