沖電氣（OKI）報道，沖電氣集團（OKI）旗下的提供可靠性評估和環保技術服務的沖工程技術株式會社（社長：淺井裕，總公司：日本東京都練馬區，以下簡稱“OEG”）向半導體生產廠商安森美半導體（ON Semiconductor）公司（社長：Keith D. Jackson，總公司：美國亞利桑那州鳳凰城）歐洲工廠再次提供常壓CVD※1生產設備專用排氣處理設備“KGT-3MM-AP”。該設備采用不易堵塞的獨特構造的過濾器，實現長期免維護的運營模式，可為半導體生產廠商提高生產效率和保護環境作貢獻。

Power FET※2和IGBT※3等功率器件（power device）在制造過程中，半導體絕緣膜的生產離不開常壓CVD生產設備。但該生產設備要使用對人體有害的氣體，所以必須進行排氣處理。

OEG的排氣處理設備“KGT-3MM-AP”采用不容易發生堵塞的特殊不銹鋼過濾器，既提高了有害氣體和微粒的處理能力，又可以長期免維護運營，可減輕設備維護人員的負擔。另外，該設備還安裝有微壓計，通過排氣扇變頻控制確保排氣壓力保持穩定，從而保證長期穩定運行。

2009年，作為天谷制作所（社長：吉岡獻太郎，總公司：日本埼玉縣越谷市）生產的連續常壓CVD生產設備所配備的排氣處理設備，OEG首次向安森美半導體提供了“KGT-3MM-AP”。該設備投入使用后，連續作業無故障，保證了CVD膜的穩定生產，得到安森美半導體的好評，再次被該公司歐洲工廠采用。OEG此次提供的設備，在原有基礎上新增加了設備自動恢復作業功能，省去了以往常壓CVD生產設備維護時造成設備內部壓力急劇變化而要手動重新啟動排氣處理設備的作業，提高了客戶的生產效率。

OEG今后將繼續在歐洲和東南亞開拓市場。

【KGT-3MM-AP規格】

 

產品名稱：常壓CVD生產設備專用排氣處理設備
KGT-□MM-AP （□：1、3、10、特殊型號）
處理能力：□m3/min （□：1、3、10、特殊規格）
壓力控制：－0.15 ～ －0.40KPa范圍內的恒定負壓，或，保持指定負壓
用途：常壓CVD、太陽能電池、晶片制造

【用語解釋】

 

※1. CVD（Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積）

是沉積方法的一種，在加熱主板上生成各種材質的薄膜。

 

※2. Power FET（Power Field-Effect Transistor）

是為處理大電力MOSFET而設計的，和其他電源設備比較，其開關速度快，在低壓區的轉換功效高，因此多用于200V以下的開關電源、DC-DC轉換器等。

 

MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導體三極管）是場效應晶體管（FET）的一種，多采用二氧化硅材料，多用于集成電路。

 

※3. IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）
是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點，用于電流控制。

【沖工程技術株式會社概要】

 

公司名稱: 沖工程技術株式會社
地址：日本東京都練馬區冰川臺3-20-16
公司總裁：淺井 裕
成立：1973年12月
主要業務：電子產品的可靠性評估、故障分析、電子元器件特性和ESD評估、環境系統技術、成分分析、環境測試、綠色產品采購支持、EMC測定、測量器校正服務
網站： http://www.oeg.co.jp/en/（英文）

關于沖電氣工業株式會社(OKI)

沖電氣工業株式會社創立于1881年，是日本較早的電子通信設備生產廠家。總公司在日本東京。133年來，沖電氣秉承著創業以來的“進取的精神”，不斷開發并提供有助于信息社會發展的產品。近年來，在品牌標語“開啟您的夢想”(英文：Open up your dreams)的指引下，作為為所有利益相關者開啟夢想之門并實現其理想的企業，和被全世界各國客戶信賴的合作伙伴，努力實現持續性增長。詳細資料請參閱沖電氣中文網頁： http://www.oki.com/cn/。