中微發(fā)布業(yè)界首創(chuàng)介質(zhì)刻蝕及除膠一體機(jī)Primo iDEA（TM）

中微介質(zhì)刻蝕及除膠一體機(jī)Primo iDEA (TM)

對于2X納米及更先進(jìn)刻蝕工藝的芯片來說，它們對表面電荷的積累極其敏感，并且面臨著PID帶來的潛在風(fēng)險(xiǎn)。Primo iDEA™可將4個等離子體反應(yīng)臺和2臺非接觸等離子體除膠反應(yīng)器整合在同一臺設(shè)備中，能夠替代原來需要2臺等離子體刻蝕機(jī)、1臺除膠器、1臺濕法清洗器等4個機(jī)臺所加工的后端過程。這一獨(dú)特的整合方法使工藝步驟得到了優(yōu)化，從而避免了因等離子體接觸引發(fā)的的器件損傷。此外，這一方法還大大提高了產(chǎn)量，減少了生產(chǎn)成本，并較大程度上減少了機(jī)臺的占地面積。Primo iDEA™同時(shí)擁有等離子體刻蝕和非接觸的等離子體源除膠功能（DSA），是大批量生產(chǎn)較復(fù)雜的極小尺寸芯片中集成多步制程的較佳選擇。

“Primo iDEA™目前已有多臺進(jìn)入先進(jìn)的芯片生產(chǎn)線，并已證明在避免等離子體接觸器件帶來的損害上表現(xiàn)優(yōu)異，同時(shí)又減少了所需機(jī)臺的數(shù)量。”中微副總裁兼CCP刻蝕產(chǎn)品事業(yè)群總經(jīng)理麥?zhǔn)肆x說，“采用 Primo iDEA™之后，客戶能夠節(jié)省20%的生產(chǎn)成本，并獲得更高的生產(chǎn)效率。對于某一特定的后端制程來說，客戶過去需要5道工序在多種機(jī)臺上完成，現(xiàn)在只需3道工序在一臺設(shè)備上完成，總體上節(jié)省了50%的工藝加工時(shí)間。”

中微于2004年領(lǐng)先開發(fā)了具有獨(dú)立自主知識產(chǎn)權(quán)的等離子體刻蝕技術(shù)。該技術(shù)具有甚高頻等離子體源和低頻偏置等離子體源，能夠獨(dú)立控制離子密度和能量，并確保芯片加工高重復(fù)性。結(jié)合中微具有獨(dú)立自主知識產(chǎn)權(quán)的離子控制技術(shù)，它們能夠共同提高芯片加工的穩(wěn)定性，并進(jìn)一步擴(kuò)大工藝窗口。Primo iDEA™使用的除膠配套系統(tǒng)采用了性價(jià)比較高的雙反應(yīng)臺腔體設(shè)計(jì)和非接觸等離子體源。頂置的等離子體源所產(chǎn)生的活性反應(yīng)物質(zhì)，能均勻地傳送到晶圓表面移除光刻膠，這一過程中等離子體并不會直接接觸晶圓表面，這就減少了器件損傷（PID）的風(fēng)險(xiǎn)。

相關(guān)閱讀:

沒有相關(guān)新聞...