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IR為工業(yè)應(yīng)用推出大罐式DirectFET MOSFET系列 具備極低導(dǎo)通電阻

2014年06月19日10:44:27 本網(wǎng)站 我要評論(2)字號:T | T | T

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列,適用于要求極低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的工業(yè)應(yīng)用,包括大功率直流電機,直流/交流逆變器,以及動態(tài)ORing熱插拔和電熔絲等大電流開關(guān)應(yīng)用。

 

全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封裝器件提供卓越的導(dǎo)通電阻性能,從而實現(xiàn)較低的導(dǎo)通損耗和更理想的系統(tǒng)效率。這款大罐式產(chǎn)品與中罐式和小罐式DirectFET器件相似,具備雙面散熱功能,可提供較佳傳熱性能,提升功率密度。由于提供較佳的裸片對占位面積比,DirectFET可有效縮減電路板尺寸。新器件還具備0.7mm的超薄厚度,為受空間限制的高功率工業(yè)電源設(shè)計提供理想的解決方案。

 

與DirectFET系列的其它器件一樣,全新的工業(yè)用大罐式封裝器件提供能改善可靠性的無鍵合線設(shè)計。DirectFET封裝符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 的所有要求,例如提供完全不含鉛的物料清單,因此非常適合長生命周期的設(shè)計。而其它同類型的高性能封裝則包含采用含鉛的裸片貼裝,雖然符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定第7(a) 項豁免條款,但這項豁免將于2016年到期。

 

 IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“DirectFET系列新增大罐式封裝器件后,繼續(xù)領(lǐng)先業(yè)界成為市場上較可靠、較高性能的MOSFET封裝產(chǎn)品之一。全新大罐式DirectFET系列的占位面積比D2PAK等傳統(tǒng)的大型塑料表面貼裝功率封裝顯著減小,而且增加了上方散熱性能,因而非常適合空間受限的長壽命工業(yè)電源設(shè)計!

 

全新40V到150V大罐式封裝器件符合第一級濕度敏感度業(yè)界標(biāo)準(zhǔn) (MSL1)。

 

規(guī)格

 

器件編號

Vdss

10V下的較高導(dǎo)通電阻

Id (A)

Qg (nc)

品質(zhì)級別

IRF7739L1TRPBF

40

1.0 mΩ

270

220

工業(yè)級

IRF7749L1TRPBF

60

1.5 mΩ

200

200

工業(yè)級

IRF7748L1TRPBF

60

2.2mΩ

138

148

工業(yè)級

IRF7759L2TRPBF

75

2.3mΩ

160

200

工業(yè)級

IRF7769L1TRPBF

100

3.5mΩ

124

200

工業(yè)級

IRF7779L2TRPBF

150

11mΩ

67

97

工業(yè)級

 

產(chǎn)品現(xiàn)正接受批量訂單。相關(guān)數(shù)據(jù)和MOSFET產(chǎn)品選型工具,請瀏覽IR的網(wǎng)站http://www.irf.com。

 

 

IR簡介

 

國際整流器公司 (簡稱 IR,紐約證交所代號 IRF) 是全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商。IR 的模擬及混合信號集成電路、先進電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應(yīng)用于驅(qū)動高性能計算設(shè)備及降低電機的能耗 (電機是全球較大耗能設(shè)備) ,是眾多國際知名廠商開發(fā)下一代計算機、節(jié)能電器、照明設(shè)備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國防系統(tǒng)的電源管理基準(zhǔn)。

 

IR 成立于 1947 年,總部設(shè)在美國洛杉磯,在二十個國家設(shè)有辦事處。IR 全球網(wǎng)站:www.irf.com,中國網(wǎng)站:www.irf.com.cn。

 

 

專利和商標(biāo)

IR®和DirectFET®是國際整流器公司的注冊商標(biāo)。文中所提及其它產(chǎn)品名稱均為對應(yīng)持有人所有的商標(biāo)。

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