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IR推出20V至30V的全新 StrongIRFET系列 為高性能運算和通信應用提供極低導通電阻

2014年04月08日11:25:58 本網站 我要評論(2)字號:T | T | T

 

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 擴充StrongIRFET系列,為高性能運算和通信等應用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是該系列的重點器件,具有極低的導通電阻 (RDS(on))。

 

IRL6283M采用超薄的30 mm2中罐式DirectFET封裝,導通電阻典型值只有500μΩ,可大幅降低傳導損耗,因而非常適合動態ORing和電子保險絲 (eFuse) 應用。新器件可使用3.3V、5V或12V的電源軌操作,在20A電流和同樣的30 mm2尺寸的封裝中,可比同類較佳PQFN器件降低15%的損耗,使設計人員能夠在大電流應用內減少器件數量。

 

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示:“StrongIRFET系列經過擴充后,能夠滿足市場對動態ORing和電子保險絲的高效開關的需求。全新IRL6283M在高性能封裝內提供行業領先的導通電阻,從而實現無可比擬的功率密度。”

 

與DirectFET系列的其它器件一樣,IRL6283M可提供有效增強電氣性能和熱性能的頂側冷卻功能,以及旨在提高可靠性的無鍵合線設計。此外,DirectFET封裝符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 的所有要求,例如完全不含鉛的物料清單可適合長生命周期的設計。同類的高性能封裝包含高鉛裸片,雖然符合電子產品有害物質管制規定第7(a) 項豁免條款,但這項豁免將于2016年到期。

 

規格

器件編號

電壓

較高 VGS

封裝

電流

額定值

導通電阻 (典型/較高)

認證級別

(V)

(V)

(A)

10V

 4.5V

2.5V

IRL6283M

20

12

DirectFET MD

211

.50/.75

.65/.87

1.1/1.5

工業

IRFH8201

25

20

PQFN 5x6B

100*

.80/.95

1.20/1.60

不適用

IRFH8202

.90/1.05

1.40/1.85

IRFH8303

30

.90/1.10

1.30/1.70

IRFH8307

1.1/1.3

1.7/2.1

IRF8301M

DirectFET MT

192

1.3/1.5

1.9/2.4

 

IR的StrongIRFET系列同時提供采用了行業標準占位面積的PQFN封裝器件和不含鉛的環保封裝,并符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。

 

產品現正接受批量訂單。更多信息和Spice模型請瀏覽IR的網站http://www.irf.com。

 

 

IR簡介

 

國際整流器公司 (簡稱 IR,紐約證交所代號 IRF) 是全球功率半導體和管理方案領導廠商。IR 的模擬及混合信號集成電路、先進電路器件、集成功率系統和器件廣泛應用于驅動高性能計算設備及降低電機的能耗 (電機是全球較大耗能設備) ,是眾多國際知名廠商開發下一代計算機、節能電器、照明設備、汽車、衛星系統、宇航及國防系統的電源管理基準。

 

IR 成立于 1947 年,總部設在美國洛杉磯,在二十個國家設有辦事處。IR 全球網站:www.irf.com,中國網站:www.irf.com.cn。

 

 

專利和商標

IR®和 DirectFET®是國際整流器公司的注冊商標。文中所提及其它產品名稱均為對應持有人所有的商標。

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