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東芝推出采用19納米第二代工藝技術(shù)的新型嵌入式NAND閃存模塊

2013年11月05日10:39:20 本網(wǎng)站 我要評論(2)字號:T | T | T
關(guān)鍵字:應(yīng)用 電源 數(shù)字 

 

新產(chǎn)品符合JEDEC e・MMCTM 5.0版標準

 

東芝公司(Toshiba Corporation, TOKYO:6502)今天宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊,該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。該模塊符合較新的e・MMCTM [1]標準,旨在應(yīng)用于智能手機、平板電腦和數(shù)字攝像機等廣泛的數(shù)字消費品。批量生產(chǎn)將從11月底開始。

 

能夠支持高分辨率視頻和提供更大存儲空間的高密度NAND閃存芯片的需求不斷增長。這在包含控制器功能的嵌入式存儲器領(lǐng)域尤為明顯,這種嵌入式存儲器可以使開發(fā)要求降至較低,并使得整合進系統(tǒng)設(shè)計更加便利。東芝正通過增強其高密度存儲器產(chǎn)品系列來滿足這一需求。

 

該公司的新型32 GB嵌入式設(shè)備在11.5 x 13 x 1.0mm的小封裝中整合了4個64Gbit(相當于8GB)NAND芯片(采用東芝的19納米第二代尖端工藝技術(shù)制造)和一個專用控制器。它符合JEDEC于9月發(fā)布的JEDEC e・MMCTM 5.0版標準,并且通過采用新的HS400高速接口標準實現(xiàn)了高讀寫性能。

 

東芝將在密度為4GB至128GB的單一封裝嵌入式NAND閃存系列中使用這些NAND芯片。所有設(shè)備都將整合一個控制器來管理NAND應(yīng)用的基本控制功能。

 

 

新產(chǎn)品系列

產(chǎn)品名稱

 

容量

 

封裝

 

批量生產(chǎn)

THGBMBG8D4KBAIR

 

32GB

 

153球FBGA

11.5x13x1.0mm

 

2013年11月底

THGBMBG7D2KBAIL

 

16GB

 

153球FBGA

11.5x13x0.8mm

 

2013年11月底

 

在16GB和32GB產(chǎn)品之后,東芝將依次推出4GB、8GB、64GB和128GB產(chǎn)品。

 

主要功能

 

  1. 符合JEDEC e・MMCTM 5.0版標準的接口可以處理基本功能,包括寫塊管理、糾錯和驅(qū)動軟件。它可簡化系統(tǒng)開發(fā),讓制造商能夠使開發(fā)成本較小化,并加快新產(chǎn)品和升級產(chǎn)品的上市速度。
  2. 嵌入系統(tǒng)后,128GB模塊能夠以128Kbps比特率記錄長達2,222小時的音樂、16.6小時的全高清視頻和38.4小時的標清視頻[2]。
  3. 新產(chǎn)品采用使用19納米第二代尖端工藝技術(shù)制造的NAND閃存芯片。
  4. 新產(chǎn)品采用11.5 x 13mm的小型FBGA封裝,并且擁有符合JEDEC e・MMCTM 5.0版標準的信號布局。

 

 

主要規(guī)格

產(chǎn)品名稱

 

THGBMBG8D4KBAIR

 

THGBMBG7D2KBAIL

接口

 

JEDEC e・MMCTM 5.0版標準

HS-MMC接口

容量

 

32GB

 

16GB

電源電壓

 

2.7~3.6V(存儲器核)

1.7V~1.95V / 2.7V~3.6V(接口)

總線寬度

 

x1 / x4 / x8

寫入速度

 

每秒90MB.

(循序/HS400模式)

 

每秒50MB
(循序/HS400模式)

讀取速度

 

每秒270MB

(循序/HS400模式)

 

每秒270MB

(循序/HS400模式)

溫度范圍

 

-25至+85攝氏度

封裝

 

153球FBGA

11.5x13x1.0mm

 

153球FBGA

11.5x13x0.8mm

 

 

[1] e・MMCTM是采用JEDEC e・MMCTM標準規(guī)格制造的嵌入式存儲器產(chǎn)品的商標和產(chǎn)品類別。

 

[2] HD和SD分別按照17Mbps和7Mbps的平均比特率計算。

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