較新的半導體和無源元件提高了各種各樣應用的效率和可靠性

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，將參加7月17日至19日在東京國際展覽中心舉行的Techno-Frontier 2013，并在電源系統(tǒng)專項展覽Power System Japan的1D-207展位展出其較新的半導體和無源元件。作為為互聯(lián)、移動和可持續(xù)發(fā)展提供元器件方案的供應商，Vishay將展示在各個產(chǎn)品線上所取得的業(yè)界領先的創(chuàng)新技術，幫助各種應用提高效率和可靠性。

在Techno-Frontier 2013上，Vishay Siliconix將展示在4.5V柵極驅(qū)動下較大導通電阻低至0.00135Ω的TrenchFET® Gen IV MOSFET；PowerPAK® SO-8L和8x8L封裝的50W前大燈LED驅(qū)動；優(yōu)化了熱性能和電性能的PowerPAIR®器件。重點推出功率IC包括采用3mm x 3mm DFN10封裝的28V可編程、受保護的智能負載開關，5mm x 5mm封裝的高密度60A功率級；3 mm x 3 mm QFN-16封裝的高效16V microBUCK®穩(wěn)壓器。

Vishay Semiconductors將展示各種二極管，包括采用SMPD封裝的45V～120V TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器；用于電動汽車、UPS和太陽能逆變器的第二代 650V FRED Pt® Ultrafast二極管；FRED Pt 超快恢復整流器。另外，Vishay Semiconductors將在顯著位置展示SurfLight™高功率紅外表面發(fā)射器等光電子產(chǎn)品，帶有數(shù)字輸出的全集成接近傳感器，以及1mA和5mA輸入電流的光耦。

Vishay的無源元件包括該公司各種各樣的較新電容器、電阻和電感器。重點展示的電阻包括具有高功率密度和可在+275℃高溫惡劣環(huán)境下使用的Vishay Dale Power Metal Strip®電阻，以及用于功率計和電池管理應用的高電流Power Metal Strip分流電阻。

特色電容器包括具有業(yè)內(nèi)較小外形尺寸的Vishay Sprague Micro Tan®汽車級固鉭片式電容器；Vishay ESTA功率電子電容器；Vishay Vitramon通過安全認證的多層陶瓷片式電容器(MLCC)。Vishay Dale將展出面向汽車應用的薄型、高電流IHLP®器件，用于桌面電腦和服務器的高溫通孔電感器等電感器產(chǎn)品。

另外，Vishay將在Techno-Frontier 2013的展位進行兩項演示。Vishay Siliconix將演示用600V和650V的E系列功率MOSFET來提高效率。Vishay Semiconductors將演示一個采用低正向電壓和快速開啟時間的TMBS整流器，以及具有高阻抗并能減小信號損失的低CJ TVS器件的系統(tǒng)。

欲了解Techno-Frontier 2013的更多信息，請訪問http://www.jma.or.jp/TF/en/。

VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1000 強企業(yè)”，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的較大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業(yè)界領先者。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。

TrenchFET®、PowerPAK®、PowerPAIR®和microBUCK®是Siliconix®公司的注冊商標。Power Metal Strip®、MicroTan®和IHLP®是Vishay Intertechnology的注冊商標。