TriQuint加速了氮化鎵的供應(yīng)速度,推出卓越新產(chǎn)品和代工服務(wù)
技術(shù)創(chuàng)新的射頻解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商TriQuint半導(dǎo)體(納斯達(dá)克代碼:TQNT),今天發(fā)布了15款新型氮化鎵( GaN )放大器和晶體管以及兩套全新的氮化鎵工藝。這些產(chǎn)品為通訊系統(tǒng)提供了性能、尺寸和耐用性的優(yōu)勢(shì)。
TriQuint公司中國(guó)區(qū)總經(jīng)理熊挺指出由于TriQuint的工藝和產(chǎn)品解決方案的發(fā)展, 使得射頻制造商更容易獲取氮化鎵的性能和優(yōu)勢(shì)。熊挺表示:“此項(xiàng)新發(fā)布也顯示TriQuint加速了其創(chuàng)新的步伐。除了三套由包裝、裝配及測(cè)試服務(wù)支持的氮化鎵工藝外,客戶還能獲取更多其它世界一流的產(chǎn)品。TriQuint全面解決較苛刻的射頻要求,能夠靈活地支持所有的客戶!
著名的研究機(jī)構(gòu)Strategy Analytics預(yù)見(jiàn)了氮化鎵這種極具意義的增長(zhǎng)。半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部總監(jiān)Eric Higham說(shuō):“雖然國(guó)防領(lǐng)域是氮化鎵較大的營(yíng)收來(lái)源,但氮化鎵在基礎(chǔ)構(gòu)架正迅速地發(fā)展壯大。通訊衛(wèi)星 (Sat-Com)、功率和有線電視(CATV)也大大飆升了氮化鎵的營(yíng)收。 Strategy Analytics預(yù)測(cè)到2015年,氮化鎵微電子裝置的市場(chǎng)將以超過(guò)34%的復(fù)合年均增長(zhǎng)率(CAAGR)增長(zhǎng)大約至1.86億美元!
TriQuint在原有的四分之一微米工藝中補(bǔ)充了一個(gè)高壓變體--TQGaN25HV。此新的制造工藝延伸了0.25微米氮化鎵的漏極操作電壓至48V,同時(shí)為DC-10 GHz應(yīng)用提供更高的擊穿電壓、更強(qiáng)的功率密度和高增益。這些優(yōu)勢(shì)實(shí)現(xiàn)更堅(jiān)固的設(shè)備, 可承受可能會(huì)破壞其他電路的電壓駐波比(VSWR)的不匹配,同時(shí)提供更多的射頻輸出功率。TriQuint的新產(chǎn)品T1G4012036-FS/FL使用了此新的制造工藝,該款新產(chǎn)品是一個(gè)適用于基礎(chǔ)構(gòu)架的120W功率封裝晶體管,體積比類似的LDMOS裝置小了將近三分之二。其他以TQGaN25HV構(gòu)建的產(chǎn)品現(xiàn)也已提供。
TriQuint以其TQGaN15工藝將氮化鎵技術(shù)推向了新的極限。該工藝將氮化鎵的頻率范圍擴(kuò)大至了40 GHz,同時(shí)提供高功率密度和低噪聲性能。此0.15微米的氮化鎵-碳化硅(SiC)工藝用于制成TriQuint新型的TGA2594(5W)和TGA2595(10W)Ka波段的VSAT地面終端放大器。它們有高達(dá)35%的功率附加效率(PAE),體積與相對(duì)的砷化鎵(GaAs)解決方案也小了三倍。其他以TQGaN15構(gòu)建的產(chǎn)品現(xiàn)也已提供。
TriQuint 全新氮化鎵解決方案的產(chǎn)品組合還包括了突破性的TAT9988,一個(gè)可用于有線電視和光纖到戶光學(xué)網(wǎng)絡(luò)的直接接入電路板式單片式微波集成電路(MMIC)放大器。TAT9988由TriQuint第二代的原始TQGaN25工藝制成,在增益、復(fù)合失真性能和表面安裝便利性上都處于行業(yè)領(lǐng)先地位。
產(chǎn)品解決方案技術(shù)參數(shù):如需了解更多信息,請(qǐng)聯(lián)系TriQuint。
放大器
產(chǎn)品類型 |
頻率范圍 (GHz) |
飽和功率 (W) |
P1dB (Psat) / OIP3 (dBm) |
增益(dB) |
NF / PAE (dB) / (%) |
電壓 / 電流 (V / mA) |
封裝方式 |
型號(hào) |
GaN S-Band PA |
3 - 3.5 |
80 |
(49) / -- |
22 |
– / 55 |
28 / 125 |
Die |
TGA2814 |
GaN S-Band PA |
3 - 3.5 |
100 |
(50) /-- |
22 |
– / 55 |
28 / 150 |
Die |
TGA2813 |
GaN C/X-Band HPA |
6 - 12 |
30 |
(45) / – |
30 |
– / 30 |
25 / 1100 |
Die |
TGA2590 |
GaN X-Band PA |
9 - 10 |
20 |
(43) / -- |
25 |
– / 50 |
25 / 150 |
Die |
TGA2624 |
GaN X-Band PA |
9 - 10 |
30 |
(45) / -- |
25 |
– / 45 |
25 / 250 |
Die |
TGA2622 |
GaN X-Band PA |
9 - 10 |
60 |
(48) / -- |
10 |
– / 35 |
24 / 2400 |
Die |
TGA2312-FL |
GaN X-Band PA |
10 - 11 |
30 |
(45) / -- |
25 |
– / 45 |
25 / 250 |
Die |
TGA2623 |
GaN X-Band PA |
10 - 11 |
16 |
(42) / -- |
25 |
– / 45 |
25 / 150 |
Die |
TGA2625 |
GaN Ka-Band PA |
27 - 31 |
5 |
(37) / -- |
19 |
– / 30 |
20 / 280 |
Die |
TGA2594 |
GaN Ka-Band PA |
27 - 31 |
10 |
(40) / -- |
17 |
– / 25 |
20 / 560 |
Die |
TGA2595 |
驅(qū)動(dòng)放大器
產(chǎn)品類型 |
頻率范圍(GHz) |
飽和功率(W) |
P1dB (Psat) / OIP3 (dBm) |
增益(dB) |
NF / PAE (dB) / (%) |
電壓 / 電流 (V / mA) |
封裝方式 |
型號(hào) |
GaN 2W Driver PA |
2 - 6 |
2 |
33 / -- |
23 |
-- / 30 |
25 / 170 |
Die |
TGA2597 |
低噪聲放大器
產(chǎn)品類型 |
頻率范圍 (GHz) |
P1dB / IIP3 (dBm) |
增益(dB) |
NF |
電壓 / 電流 (V / mA) |
封裝方式 |
型號(hào) |
GaN LNA |
2 - 6 |
25 |
25 |
1 |
10 / 100 |
Die |
TGA2611 |
GaN LNA |
6 - 12 |
25 |
25 |
1.5 |
10 / 100 |
Die |
TGA2612 |
離散式射頻功率晶體管
產(chǎn)品類型 |
頻率范圍 GHz) |
P1dB (Psat) |
增益 (dB) |
DE |
電壓 /電流 (V / mA) |
封裝方式 |
型號(hào) |
GaN 120W:EAR99 |
DC - 3.5 |
120 |
13 |
52 |
36 / 360 |
Ceramic |
T1G4012036-FS / -FL |
GaN 10W: EAR99 |
DC - 6 |
40 |
16 |
53 |
32 / 50 |
5x5 QFN |
T1G6001032-SM |
關(guān)于TriQuint
成立于1985年的TriQuint半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克代碼:TQNT)是為全球頂尖通信、國(guó)防和航空航天公司提供創(chuàng)新射頻解決方案與代工服務(wù)的全球領(lǐng)先企業(yè)。全世界的人們和組織都需要實(shí)時(shí)、不間斷的通信聯(lián)系;TriQuint的產(chǎn)品可幫助降低用于提供關(guān)鍵語(yǔ)音、數(shù)據(jù)和視頻通信的互聯(lián)移動(dòng)設(shè)備與網(wǎng)絡(luò)的成本和提高它們的性能。憑借業(yè)內(nèi)較廣泛的技術(shù)系列、公認(rèn)的研發(fā)領(lǐng)先地位以及在大規(guī)模制造領(lǐng)域的專業(yè)知識(shí),TriQuint生產(chǎn)基于砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、聲表面波 (SAW) 和體聲波(BAW)技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)及定制產(chǎn)品。該公司在美國(guó)擁有多家已通過(guò)ISO9001認(rèn)證的制造工廠,在哥斯達(dá)黎加擁有生產(chǎn)中心,在北美地區(qū)和德國(guó)擁有設(shè)計(jì)中心。欲知更多信息請(qǐng)?jiān)L問(wèn)http://cn.triquint.com。
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