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TriQuint加速了氮化鎵的供應(yīng)速度,推出卓越新產(chǎn)品和代工服務(wù)

2013年07月01日10:58:25 本網(wǎng)站 我要評(píng)論(2)字號(hào):T | T | T
關(guān)鍵字:航天 應(yīng)用 半導(dǎo)體 通信 

技術(shù)創(chuàng)新的射頻解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商TriQuint半導(dǎo)體(納斯達(dá)克代碼:TQNT),今天發(fā)布了15款新型氮化鎵( GaN )放大器和晶體管以及兩套全新的氮化鎵工藝。這些產(chǎn)品為通訊系統(tǒng)提供了性能、尺寸和耐用性的優(yōu)勢(shì)。

 

TriQuint公司中國(guó)區(qū)總經(jīng)理熊挺指出由于TriQuint的工藝和產(chǎn)品解決方案的發(fā)展, 使得射頻制造商更容易獲取氮化鎵的性能和優(yōu)勢(shì)。熊挺表示:“此項(xiàng)新發(fā)布也顯示TriQuint加速了其創(chuàng)新的步伐。除了三套由包裝、裝配及測(cè)試服務(wù)支持的氮化鎵工藝外,客戶還能獲取更多其它世界一流的產(chǎn)品。TriQuint全面解決較苛刻的射頻要求,能夠靈活地支持所有的客戶!

 

著名的研究機(jī)構(gòu)Strategy Analytics預(yù)見(jiàn)了氮化鎵這種極具意義的增長(zhǎng)。半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部總監(jiān)Eric Higham說(shuō):“雖然國(guó)防領(lǐng)域是氮化鎵較大的營(yíng)收來(lái)源,但氮化鎵在基礎(chǔ)構(gòu)架正迅速地發(fā)展壯大。通訊衛(wèi)星 (Sat-Com)、功率和有線電視(CATV)也大大飆升了氮化鎵的營(yíng)收。 Strategy Analytics預(yù)測(cè)到2015年,氮化鎵微電子裝置的市場(chǎng)將以超過(guò)34%的復(fù)合年均增長(zhǎng)率(CAAGR)增長(zhǎng)大約至1.86億美元!

 

TriQuint在原有的四分之一微米工藝中補(bǔ)充了一個(gè)高壓變體--TQGaN25HV。此新的制造工藝延伸了0.25微米氮化鎵的漏極操作電壓至48V,同時(shí)為DC-10 GHz應(yīng)用提供更高的擊穿電壓、更強(qiáng)的功率密度和高增益。這些優(yōu)勢(shì)實(shí)現(xiàn)更堅(jiān)固的設(shè)備, 可承受可能會(huì)破壞其他電路的電壓駐波比(VSWR)的不匹配,同時(shí)提供更多的射頻輸出功率。TriQuint的新產(chǎn)品T1G4012036-FS/FL使用了此新的制造工藝,該款新產(chǎn)品是一個(gè)適用于基礎(chǔ)構(gòu)架的120W功率封裝晶體管,體積比類似的LDMOS裝置小了將近三分之二。其他以TQGaN25HV構(gòu)建的產(chǎn)品現(xiàn)也已提供。

 

TriQuint以其TQGaN15工藝將氮化鎵技術(shù)推向了新的極限。該工藝將氮化鎵的頻率范圍擴(kuò)大至了40 GHz,同時(shí)提供高功率密度和低噪聲性能。此0.15微米的氮化鎵-碳化硅(SiC)工藝用于制成TriQuint新型的TGA2594(5W)和TGA2595(10W)Ka波段的VSAT地面終端放大器。它們有高達(dá)35%的功率附加效率(PAE),體積與相對(duì)的砷化鎵(GaAs)解決方案也小了三倍。其他以TQGaN15構(gòu)建的產(chǎn)品現(xiàn)也已提供。

 

TriQuint 全新氮化鎵解決方案的產(chǎn)品組合還包括了突破性的TAT9988,一個(gè)可用于有線電視和光纖到戶光學(xué)網(wǎng)絡(luò)的直接接入電路板式單片式微波集成電路(MMIC)放大器。TAT9988由TriQuint第二代的原始TQGaN25工藝制成,在增益、復(fù)合失真性能和表面安裝便利性上都處于行業(yè)領(lǐng)先地位。          

 

產(chǎn)品解決方案技術(shù)參數(shù):如需了解更多信息,請(qǐng)聯(lián)系TriQuint。

 

放大器

產(chǎn)品類型

頻率范圍 (GHz)

飽和功率 (W)

P1dB (Psat) / OIP3 (dBm)

增益(dB)

NF / PAE (dB) / (%)

電壓 / 電流

 (V / mA)

封裝方式

型號(hào)

  GaN S-Band PA

3 - 3.5

80

(49) / --

22

– / 55

28 / 125

Die

TGA2814

  GaN S-Band PA

3 - 3.5

100

(50)  /--

22

– / 55

28 / 150

Die

TGA2813

  GaN C/X-Band HPA

6 - 12

30

(45) / –

30

– / 30

25 / 1100

Die

TGA2590

  GaN X-Band PA

9 - 10

20

(43) / --

25

– / 50

25 / 150

Die

TGA2624

  GaN X-Band PA

9 - 10

30

(45) / --

25

– / 45

25 / 250

Die

TGA2622

  GaN X-Band PA

9 - 10

60

(48) / --

10

– / 35

24 / 2400

Die

TGA2312-FL

  GaN X-Band PA

10 - 11

30

(45) / --

25

– / 45

25 / 250

Die

TGA2623

  GaN X-Band PA

10 - 11

16

(42) / --

25

–  / 45

25 / 150

Die

TGA2625

  GaN Ka-Band PA

27 - 31

5

(37) / --

19

– / 30

20 / 280

Die

TGA2594

  GaN Ka-Band PA

27 - 31

10

(40)  / --

17

– / 25

20 / 560

Die

TGA2595

 

驅(qū)動(dòng)放大器

產(chǎn)品類型

頻率范圍(GHz)

飽和功率(W)

P1dB (Psat) / OIP3 (dBm)

增益(dB)

NF / PAE (dB) / (%)

電壓 / 電流

(V / mA)

封裝方式

型號(hào)

 GaN 2W Driver PA

2 - 6

2

33 / --

23

-- / 30

25 / 170

Die

TGA2597

 

低噪聲放大器

產(chǎn)品類型

頻率范圍

(GHz)

P1dB / IIP3 (dBm)

增益(dB)

NF
(dB)

電壓 / 電流

 (V / mA)

封裝方式

型號(hào)

  GaN LNA

2 - 6

25

25

1

10 / 100

Die

TGA2611

  GaN LNA

6 - 12

25

25

1.5

10 / 100

Die

TGA2612

 

離散式射頻功率晶體管

產(chǎn)品類型

頻率范圍

GHz)

P1dB (Psat)
(dBm)

增益 (dB)

DE
(%)

電壓 /電流

 (V / mA)

封裝方式

型號(hào)

  GaN 120W:EAR99

DC - 3.5

120

13

52

36 / 360

Ceramic

T1G4012036-FS / -FL

  GaN 10W: EAR99

DC - 6

40

16

53

32 / 50

5x5 QFN

T1G6001032-SM

 

關(guān)于TriQuint

成立于1985年的TriQuint半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克代碼:TQNT)是為全球頂尖通信、國(guó)防和航空航天公司提供創(chuàng)新射頻解決方案與代工服務(wù)的全球領(lǐng)先企業(yè)。全世界的人們和組織都需要實(shí)時(shí)、不間斷的通信聯(lián)系;TriQuint的產(chǎn)品可幫助降低用于提供關(guān)鍵語(yǔ)音、數(shù)據(jù)和視頻通信的互聯(lián)移動(dòng)設(shè)備與網(wǎng)絡(luò)的成本和提高它們的性能。憑借業(yè)內(nèi)較廣泛的技術(shù)系列、公認(rèn)的研發(fā)領(lǐng)先地位以及在大規(guī)模制造領(lǐng)域的專業(yè)知識(shí),TriQuint生產(chǎn)基于砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、聲表面波 (SAW) 和體聲波(BAW)技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)及定制產(chǎn)品。該公司在美國(guó)擁有多家已通過(guò)ISO9001認(rèn)證的制造工廠,在哥斯達(dá)黎加擁有生產(chǎn)中心,在北美地區(qū)和德國(guó)擁有設(shè)計(jì)中心。欲知更多信息請(qǐng)?jiān)L問(wèn)http://cn.triquint.com

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