恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors，由飛利浦創(chuàng)建的獨(dú)立半導(dǎo)體公司）日前推出全球首款TD-SCDMA和WCDMA基站用全集成Doherty功率放大器，從而進(jìn)一步豐富了其業(yè)界領(lǐng)先的射頻功率晶體管產(chǎn)品范圍。先進(jìn)的BLD6G21-50和BLD6G22-50全集成功率放大器繼承了恩智浦的射頻技術(shù)創(chuàng)新，不僅使設(shè)計更加簡易，而且提供無與倫比的效率，在10 W平均功率時的效率大于40%。與AB類放大器相比，這將使多載波信號工作條件下的功耗降低35%。

新款全集成Doherty功率放大器采用即插即用設(shè)計，可以像標(biāo)準(zhǔn)AB級晶體管一樣使用，因而可加快產(chǎn)品上市速度。恩智浦BLD6G21-50和BLD6G22-50放大器可以減小產(chǎn)品外形尺寸并簡化設(shè)計工作，在制造過程中不需要進(jìn)行額外調(diào)諧，從而顯著提升了蜂窩基站功率放大器開發(fā)過程的成本效益。

BLD6G21-50全集成Doherty功率放大器利用了恩智浦先進(jìn)的第六代LDMOS技術(shù)，專門針對工作在2010 MHz至2025 MHz頻率范圍的TD-SCDMA標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計，其孿生放大器BLD6G22-50則是針對工作在2110MHz至2170MHz頻率范圍的W-CDMA標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計。主放大器、峰值放大器、延遲線路、輸入分離器和輸出合路器均集成于一個標(biāo)準(zhǔn)晶體管封裝中，后者提供單一輸入和輸出引線，較大限度地減小所需電路板空間。該封裝另有兩個附加引腳，其中一個引腳用于外部偏置目的。

恩智浦在集成Doherty技術(shù)上的發(fā)展直接針對基站供應(yīng)商和電信運(yùn)營商的需求。恩智浦半導(dǎo)體公司射頻功率產(chǎn)品市場總監(jiān)Mark Murphy表示：“集成Doherty是射頻功率放大器領(lǐng)域中的頂尖技術(shù)。通過這一創(chuàng)新，我們實(shí)現(xiàn)了目前較小的Doherty設(shè)計和創(chuàng)記錄的效率，大大削減了系統(tǒng)總功耗，從而幫助我們的客戶降低成本并提升性能。”

上市時間

恩智浦BLD6G21-50和BLD6G22-50集成Doherty放大器即日開始提供樣片。本系列中的更高功率器件將在今年陸續(xù)推出。

恩智浦提供用于基站的完整系列RF功率晶體管產(chǎn)品，工作頻率從 800 MHz 至 3.8 GHz，涵蓋了所有移動通信技術(shù)（GSM/EDGE、TDMA、(TD-S)CDMA、W-CDMA/UMTS）以及WiMAX基礎(chǔ)設(shè)施。有關(guān)詳細(xì)信息。

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