共同開發和商業化用于生產低成本氮化鎵(GaN)模板襯底的高效氫化物氣相外延(HVPE)系統

HVPE系統預期可降低LED生產成本并加快在商業和住宅照明領域中的應用

極特先進科技公司(GT Advanced Technologies)(NASDAQ:GTAT)與Soitec(NYSE Euronext:SOI)今日宣布了一項開發及許可協議，根據該協議，GT將開發、生產和商業化大容量多晶圓HVPE系統。這一HVPE系統將用于生產LED或其他高增長行業（例如電力電子行業）所用襯底的優質GaN外延薄膜。與傳統的金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)工藝相比，HVPE系統可能帶來更高的增長率并改進材料特性，有望顯著降低工藝成本，同時提高設備性能。協議中規定的專利技術許可費的首期預付款已經開始支付，但是具體條款尚未對外披露。

Soitec Phoenix Labs（Soitec旗下的一家子公司）擁有獨家HVPE專利技術，包括有望降低輸送至HVPE反應器的前驅體成本的新穎且先進的源輸送系統。GT公司將利用上述HVPE專利技術來開發、生產和商業化HVPE系統。這一HVPE系統可實現GaN模板藍寶石襯底的規�；�生產。HVPE系統預計將于2014年下半年上市。

Soitec Phoenix Labs副總裁兼總經理Chantal Arena表示：“我們已在GaN外延工藝開發方面傾注了六年多的時間，并且在HVPE技術方面也已取得了關鍵性突破。這一技術對生產高質量、低成本的藍寶石襯底的GaN薄膜至關重要。今天，我們和GT公司共同宣布的開發和許可協議是這項工作的終極證明，同時這項協議是建立在去年我們與Silian共同公布的協議基礎之上，其時協議的目的旨在將基于HVPE的技術集成入其藍寶石中。這使得Soitec能夠針對差異化的技術和產業合作伙伴提供包括材料和設備在內的不同層次的LED照明系統產品。Soitec Phoenix Labs在外延附生技術和GaN材料方面的精深專業技能， 將成為GT公司向市場提供革命性HVPE系統的關鍵性因素。”

GT 總裁兼首席執行官Tom Gutierrez表示：“GT公司在提供改變行業（如太陽能PV和LED）的創新設備方面擁有良好的成功記錄。隨著我們不斷拓展新的高價值技術以擴大業務范圍和向市場提供成功的解決方案，我們希望找擁有合適技術的合作伙伴，以與我們的設備業務形成互補。在經過廣泛的尋找之后，我們較終與Soitec簽訂了協議。在GaN工藝專有技術方面，Soitec Phoenix Labs帶來了高水平的專長和技術經驗。當HVPE系統上市時，我們相信新的HVPE系統將成為一個重要因素，能夠進一步降低LED設備成本并幫助推動行業形成更強的競爭力和更大的增長。”

關于Soitec

作為一家國際制造公司，Soitec是生產和制造革命性半導體材料方面的世界領導者，公司走在令人激動的能源和電子挑戰的較前沿。Soitec的產品包括微電子襯底（其中較有名的當屬SIO：硅晶絕緣體）和聚光光伏系統(CPV)。該公司擁有Smart Cut™、Smart Stacking™和Concentrix™等核心技術，以及外延附生領域的專業知識。其產品可應用于消費和移動電子產品、微電子驅動IT、電信、汽車電子產品、照明產品和大型太陽能發電廠等。Soitec在法國、新加坡、德國和美國設有制造廠和研發中心。欲了解更多信息，請訪問：www.soitec.com。

關于極特先進科技公司

極特先進科技公司是一家多元化技術公司，面向全球的太陽能、LED和電子行業提供創新型晶體生長設備和解決方案。該公司的產品加速了可改善性能與降低制造成本的新型先進材料的采用。有關極特先進科技公司的更多信息，敬請訪問：www.gtat.com。