Vishay的17款新器件擴充600V N溝道功率MOSFET系列

2012年10月22日15:11:59 本網站我要評論(2)字號：T | T | T

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件，將該系列MOSFET在10V下的導通電阻擴展到39mΩ～600mΩ，將較高電流等級擴展至7A～73A。新的E系列MOSFET采用Vishay的下一代超級結技術，使公司進入使用功率轉換技術的增量市場，包括照明、適配器和高功率可再生能源系統。

今天發布的器件使600V E系列MOSFET的器件數量增加到27個。所有的E系列器件都具有超低的導通電阻和柵極電荷，可實現極低的傳導損耗和開關損耗，從而在功率因數校正、服務器和通信電源系統、焊接、不間斷電源(UPS)、電池充電器、LED照明、半導體生產設備、適配器和太陽能電池逆變器等高功率、高性能的開關應用中節約能源。

器件可承受雪崩和通信模式中的高能脈沖，保證通過100% UIS測試時達到極限條件。MOSFET符合RoHS指令。

器件規格表：

型號	VBRDSS (V)	ID @ 25 oC (A)	RDS(ON) max. @ Vgs = 10 V (mΩ)	Qg typ @ Vgs = 10V (nC)	封裝
SiHP7N60E	600	7	600	20	TO-220
SiHF7N60E	600	7	600	20	TO-220 FullPAK
SiHD7N60E	600	7	600	20	DPAK/TO-252
SiHU7N60E	600	7	600	20	IPAK/TO-251
SiHP12N60E	600	12	380	29	TO-220
SiHF12N60E	600	12	380	29	TO-220 FullPAK
SiHB12N60E	600	12	380	29	D2PAK/TO-263
SiHP15N60E	600	15	280	38	TO-220
SiHF15N60E	600	15	280	38	TO-220 FullPAK
SiHB15N60E	600	15	280	38	D2PAK/TO-263
SiHP22N60E	600	22	180	57	TO-220
SiHB22N60E	600	22	180	57	D2PAK/TO-263
SiHF22N60E	600	22	180	57	TO-220 FullPAK
SiHG22N60E	600	22	180	57	TO-247AC
SiHP30N60E	600	30	125	85	TO-220
SiHB30N60E	600	30	125	85	D2PAK/TO-263
SiHF30N60E	600	30	125	85	TO-220 FullPAK
SiHG30N60E	600	30	125	85	TO-247AC
SiHW30N60E	600	30	125	85	TO-247AD
SiHB33N60E	600	33	99	100	D2PAK/TO-263
SiHP33N60E	600	33	99	100	TO-220
SiHG33N60E	600	33	99	100	TO-247AC
SiHW33N60E	600	33	99	100	TO-247AD
SiHG47N60E	600	47	99	147	TO-247AC
SiHW47N60E	600	47	64	147	TO-247AD
SiHG73N60E	600	73	64	241	TO-247AC
SiHW73N60E	600	73	39	241	TO-247AD

*備注：粗體的器件是E系列的新增型號。

這些新款功率MOSFET現可提供樣品，量產訂貨的供貨周期為十六周到十八周。

VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1,000 強企業”，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的較大制造商之一。這些元器件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網站 www.vishay.com。

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