IDT 新的零失真 450MHz/LTE/EGSM BTS 多樣混頻器涵蓋低頻段頻率范圍，

可同時改進系統 IM3 性能并減少功耗

擁有模擬和數字領域的優勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT® 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布，已新推出低頻段 RF 混頻器，該混頻器可通過在擁擠頻譜中為 4G LTE、3G 和 2G 系統減少互調失真增強用戶的移動連接體驗。IDT 新的 Zero-Distortion™ 基站收發信機（BTS）多樣混頻器可通過減少功耗改進系統三階互調失真（IM3），針對移動通信（EGSM）頻率范圍涵蓋 450 MHz、長期演進（LTE）和擴展的全球系統。

IDT F1102 是一款低功耗、低失真的雙通道 400-1000 MHz RF 變頻到IF 混頻器，與標準混頻器相比，可改進 IM3 超過 15 dB，同時減少功耗超過 40%。這些性能品質可為改進服務品質（QoS）實現更好的信噪比（SNR），同時減少散熱，從而在密集的射頻卡密封中降低散熱要求（5V 時 1.15W，高達 +43 dBm IP3O）。F1102 可提供無與倫比的性能與效率，是多載波、多模式4G LTE 和 EGSM BTS 系統的理想選擇。

IDT 公司副總裁兼通信部總經理 Tom Sparkman 表示：“在發現我們高頻段和低頻段混頻器優異的性能之后，客戶開始需要這款產品。我們的零失真技術可幫助客戶增加射頻卡的前端增益以改進 SNR，同時在擁擠的 EGSM 和 U.S. 蜂窩頻段中減少失真。憑借我們廣泛的高性能、低功耗可變增益放大器（VGA）產品組合，業界領先的計時、串行交換、數據轉換和數據壓縮產品，IDT 成為通信信號鏈解決方案的一站式提供商。”

F1102 與 IDT 其他混頻器產品系列一起，可在上電與下電模式下提供快速的建立時間和恒定的本機振蕩器（LO）輸入阻抗。這允許客戶在時分雙工（TDD）接收機插槽間關閉混頻器，從而進一步降低功耗。此外，IDTF1102 可支持高本振或低本振注入方式，與市場上現有器件管腳相容，從而提供令人信服的升級選擇。

供貨

IDT F1102 目前正向合格客戶提供樣品，提供 6x6 毫米 36 引腳 QFN 封裝。欲了解 IDT RF 信號通道解決方案的更多信息，請訪問：www.idt.com/go/RF。

關于 IDT 公司

IDT 公司擁有模擬和數字領域的優勢技術，并且運用這些模擬和數字優勢技術為廣大終端用戶提供了大量優化的、豐富的、創新性的系統級解決方案。IDT 在計時、串行交換電路和傳輸接口電路方面位于全球市場的領先地位。在通信、計算和消費芯片市場，IDT 發揮出模擬和系統設計的專長，為客戶提供了各種應用廣泛、性能優化的混合信號解決方案。IDT 公司總部位于美國加利福尼亞州圣荷塞，在全球各地設有設計中心、生產基地和銷售機構。IDT 股票在納斯達克全球精選股票市場上市，代號為“IDTI”。欲了解更多 IDT 詳情，敬請登陸 http://www.idt.com/china/ 或訪問 Facebook、LinkedIn、Twitter 和 YouTube。

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