IDT 新的零失真 450MHz/LTE/EGSM BTS 多樣混頻器涵蓋低頻段頻率范圍，可同時改進系統(tǒng) IM3 性能并減少功耗。

擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT® 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布，已新推出低頻段 RF 混頻器，該混頻器可通過在擁擠頻譜中為 4G LTE、3G 和 2G 系統(tǒng)減少互調(diào)失真增強用戶的移動連接體驗。IDT 新的 Zero-Distortion™ 基站收發(fā)信機（BTS）多樣混頻器可通過減少功耗改進系統(tǒng)三階互調(diào)失真（IM3），針對移動通信（EGSM）頻率范圍涵蓋 450 MHz、長期演進（LTE）和擴展的全球系統(tǒng)。

IDT F1102 是一款低功耗、低失真的雙通道 400-1000 MHz RF 變頻到IF 混頻器，與標(biāo)準(zhǔn)混頻器相比，可改進 IM3 超過 15 dB，同時減少功耗超過 40%。這些性能品質(zhì)可為改進服務(wù)品質(zhì)（QoS）實現(xiàn)更好的信噪比（SNR），同時減少散熱，從而在密集的射頻卡密封中降低散熱要求（5V 時 1.15W，高達 +43 dBm IP3O）。F1102 可提供無與倫比的性能與效率，是多載波、多模式4G LTE 和 EGSM BTS 系統(tǒng)的理想選擇。

IDT 公司副總裁兼通信部總經(jīng)理 Tom Sparkman 表示：“在發(fā)現(xiàn)我們高頻段和低頻段混頻器優(yōu)異的性能之后，客戶開始需要這款產(chǎn)品。我們的零失真技術(shù)可幫助客戶增加射頻卡的前端增益以改進 SNR，同時在擁擠的 EGSM 和 U.S. 蜂窩頻段中減少失真。憑借我們廣泛的高性能、低功耗可變增益放大器（VGA）產(chǎn)品組合，業(yè)界領(lǐng)先的計時、串行交換、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換和數(shù)據(jù)壓縮產(chǎn)品，IDT 成為通信信號鏈解決方案的一站式提供商。”

F1102 與 IDT 其他混頻器產(chǎn)品系列一起，可在上電與下電模式下提供快速的建立時間和恒定的本機振蕩器（LO）輸入阻抗。這允許客戶在時分雙工（TDD）接收機插槽間關(guān)閉混頻器，從而進一步降低功耗。此外，IDTF1102 可支持高本振或低本振注入方式，與市場上現(xiàn)有器件管腳相容，從而提供令人信服的升級選擇。

供貨

IDT F1102 目前正向合格客戶提供樣品，提供 6x6 毫米 36 引腳 QFN 封裝。欲了解 IDT RF 信號通道解決方案的更多信息，請訪問：www.idt.com/go/RF。

關(guān)于 IDT 公司

IDT 公司擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)，并且運用這些模擬和數(shù)字優(yōu)勢技術(shù)為廣大終端用戶提供了大量優(yōu)化的、豐富的、創(chuàng)新性的系統(tǒng)級解決方案。IDT 在計時、串行交換電路和傳輸接口電路方面位于全球市場的領(lǐng)先地位。在通信、計算和消費芯片市場，IDT 發(fā)揮出模擬和系統(tǒng)設(shè)計的專長，為客戶提供了各種應(yīng)用廣泛、性能優(yōu)化的混合信號解決方案。IDT 公司總部位于美國加利福尼亞州圣荷塞，在全球各地設(shè)有設(shè)計中心、生產(chǎn)基地和銷售機構(gòu)。IDT 股票在納斯達克全球精選股票市場上市，代號為“IDTI”。欲了解更多 IDT 詳情，敬請登陸 http://www.idt.com/china/ 或訪問 Facebook、LinkedIn、Twitter 和 YouTube。