科銳公司（Nasdaq: CREE）宣布推出可適用于軍用和商用S 波段雷達中的高效GaN HEMT 晶體管。新型 S 波段GaN HEMT 晶體管的額定功率為60W，頻率為 3.1至3.5GHz 之間，與傳統Si或 GaAs MESFET 器件相比，能夠提供優越的漏極效率（接近70%）。同時，高效率和高功率密度的結合有助于較大限度地降低散熱的要求，并減少在商用雷達系統應用中的尺寸與重量。

科銳無線射頻（RF）及微波部門總監 Jim Milligan表示：“新型 S 波段 GaN HEMT 器件的推出豐富了科銳高效 S 波段GaN晶體管與單片式微波集成電路（MMIC）產品系列，從而為客戶在商用雷達系統高功率放大電路的應用中提供更多的選擇。高效的 S 波段 GaN HEMT 器件率，在具有優異信號保真度的同時擴展脈沖能力，并較大限度地降低散熱管理需求，從而能夠幫助無線射頻設計工程師大幅度地降低雷達系統的尺寸和重量，同時擴大應用范圍并降低安裝成本。”

科銳 CGH35060 GaN HEMT 晶體管28V 工作電壓下的額定脈沖功率為 60W（當脈寬為100微秒時），功率增益為12dB，漏極效率為 65%，與傳統硅 LDMOS 器件相比高出50%。CGH35060 型 GaN 器件已經在高功率放大器參考設計（S 波段頻率在3.1至3.5GHz 之間）中得到驗證。與 GaAs和Si技術相比，CGH35060 還具有長脈沖、高功率性能（低于0.6dB）、優異的信號保真度以及非常低的功率衰減等特性。

新型GaN HEMT 晶體管與科銳 S 波段全套產品系列相匹配，包括CGH31240F/CGH35240F全面匹配240W GaN HEMT 器件（2.7 – 2.9GHz / 3.1 – 3.5GHz）以及CMPA2735075F兩級封裝GaN HEMT 單片式微波集成電路（MMIC）。

如欲了解更多較新S波段GaN HEMT器件詳情，敬請訪問：www.cree.com。

關于科銳（CREE）

科銳成立于1987年，是美國上市公司（1993年，納斯達克：CREE），為全球LED外延、芯片、封裝、LED照明解決方案、化合物半導體材料、功率器件和射頻于一體的著名制造商和行業領先者。科銳LED 照明產品的優勢體現在氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等方面獨一無二的材料技術與先進的白光技術，擁有1,300多項美國專利、2,900多項國際專利和近390項中國專利（以上包括已授權和在審專利），使得科銳LED產品始終處于世界領先水平。科銳照明級大功率LED，具有光效高、色點穩、壽命長等優點。科銳在向客戶提供高質量、高可靠發光器件產品的同時也向客戶提供成套的LED照明解決方案。科銳碳化硅金屬氧化物半導體場效應管開關器件（MOSFET Switch）的導通電阻小、溫度系數穩、漏電流低、開關時間短，以及科銳碳化硅肖特基功率二極管（Schottky Power Diode）零反向恢復電流等特性，使得科銳碳化硅功率器件特別適用于高頻、高效、高功率密度、高可靠性需求的電力電子系統。