——羅姆在PCIM介紹全新技術

6月19日- 6月21日，PCIM（電力轉(zhuǎn)換與智能運動）亞洲研討會在上海世博展覽館隆重舉行。它是一個獨立的、定位明確的活動，實現(xiàn)了會議和展覽兩部分的充分融合和交流。在本次會議上，產(chǎn)業(yè)界和學術界的研究者、開發(fā)者和專家們齊聚一堂，探討靈活、快捷、可靠、簡潔和經(jīng)濟的電源轉(zhuǎn)換并提供可能的解決方案。

PCIM為來自電力電子產(chǎn)品及其驅(qū)動技術和變電質(zhì)量應用界的廣大專業(yè)人士提供了一良好的交流平臺，使他們有機會領略電力電子產(chǎn)品和系統(tǒng)領域的較新研發(fā)成果。中國電力電子市場以每年20%的速率迅速增長，并已成為當今節(jié)能領域中的一項關鍵技術。PCIM涵蓋了低碳、節(jié)能、環(huán)境保護等人們越來越關注的話題，而這些正是電力電子技術的應用所在。

記者在PCIM展覽會上走訪了一些重要廠商，與他們探討了產(chǎn)品、技術、市場趨勢及公司策略等方面的問題。

近年來，在工業(yè)設備、太陽能電池、電動車以及鐵路等電力電子技術領域，與Si元件相比，電力轉(zhuǎn)換時損耗少、材料性能卓越的SiC元件/模塊的實際應用備受期待。在PCIM上羅姆展示了豐富的功率元器件產(chǎn)品系列，讓人眼前一亮的是近年來大家都在熱議的碳化硅器件。

羅姆開發(fā)的SiC肖特基勢壘二極管實現(xiàn)業(yè)界較低正向電壓，有助于降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設備、服務器等的功耗。羅姆于2010年成功實現(xiàn)了SiC-SBD和SiC-MOSFET兩種SiC元件的量產(chǎn)，于2012年3月在世界上率先成功將“全SiC”功率模塊投入量產(chǎn)等等，產(chǎn)品開發(fā)在行業(yè)中遙遙領先。

羅姆近日在世界上首次實現(xiàn)了SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝，并開始量產(chǎn)，大大降低了逆變器的功耗，有效減少了部件個數(shù)。面向工業(yè)設備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達1200V的第2代SiC MOSFET SCH2080KE損耗低，可靠性高，在各種應用中非常有助于設備實現(xiàn)更低功耗和小型化。該產(chǎn)品成功實現(xiàn)了SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓降低70%以上，實現(xiàn)更低損耗的同時還可減少部件個數(shù)。從6月份開始出售樣品，7月份開始陸續(xù)量產(chǎn)。

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