Microsemi在2012年慕尼黑上海電子展上重點展示了新型半導體解決方案。公司營銷與業務發展總監Glenn M. Wright告訴記者，Microsemi是發展重點是可靠性設計，一切都以此為目標，致力于提供實現功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先解決方案。他重點介紹了公司的功率產品組合，包括功率半導體、功率模塊和RF功率MOSFET，以及可靠性的強化篩選塑料封裝器件系列，如瞬態電壓抑制器、MOSFET、IGBT和整流器。

公司產品營銷總監Mauricio Peres為記者介紹了Microsemi重點展示的產品和解決方案系列，包括：ZL70250超低功率射頻（RF）收發器，支持無線遙測技術，能夠滿足先前難以實施的低功率應用要求；用于太陽能/光伏逆變器的功率轉換技術；Microsemi新型單芯片多軸馬達控制套件演示，套件允許設計人員降低產品開發成本并實現快速上市，該解決方案包括Microsemi的SmartFusion™評測工具套件和TRINAMIC的馬達控制子板套件；無凸緣VRF MOSFET和新型1200V IGBT系列；高可靠性瞬態電壓抑制（TVS）產品。

Microsemi還參加了國際電力電子創新論壇，討論“功率轉換的技術進步推動光伏系統達到更高效率”，演講重點介紹市電同價的趨勢如何推動對半導體技術的發展需求。

展示全新解決方案

公司展示了較新技術創新和新產品，廣泛用于便攜式設備、低功耗短距離無線設備、照明、顯示器和汽車等。較新推出的產品有雙馬達控制套件這套解決方案包括Microsemi的SmartFusion™ 評估套件和TRINAMIC的馬達控制子板（daughter board）套件。Microsemi獲獎的SmartFusion可定制化系統單芯片（cSoC）結合了三個成功編譯復雜馬達控制算法的重要特性：嵌入式微控制器、可編程模擬模塊和現場可編程門陣列（FPGA）。這樣的整合方式可提供一個理想平臺，以分隔軟件和硬件架構需求。SmartFusion的嵌入式ARM Cortex™-M3微控制器可作為系統層任務管理、算法執行和系統連接性之用。板上可編程模擬模塊提供電壓、電流和溫度監控的完整感知與控制功能。閃存式FPGA邏輯用來執行硬件加速與數學協同處理。此外，運算/周期密集的算法程序可在FPGA內由硬件實現，能夠非常快速、有效地執行。

Microsemi開發的下一代高電壓、高功率射頻器件為開發者提供強力技術支持。這些系統以公司獨有的數字射頻系列混合模塊為基礎，廣泛應用于半導體加工、LCD玻璃涂層、太陽能電池生產、光學器件及建筑玻璃涂層、有害氣體處理、CO2激光激發、MRI RF放大器、RF手術刀和感應加熱等系統中。這些模塊將RF驅動IC和功率MOSFET集成在單一高性能封裝中，能夠以高達40 MHz的頻率發送1-3kW功率。設計指南還為系統開發人員提供了包括元器件選擇、匹配網絡設計、優化輸出功率、效率較大化、散熱設計等各種RF設計技巧，并針對構建完整的RF發生器所需的電路拓撲提供具體建議。

用于磁性環境的全新電壓抑制解決方案提供了專為核磁共振成像設備而設計的不含鐵TVS陣列。新產品專為核磁共振成像（MRI）設備而設計，能夠防止靜電放電、電快速瞬變和二次雷擊效應引起的電路損壞。Microsemi現可提供USBQNM504xx和USBQNM504xxC TVS陣列，這些產品均符合要求，并獲得一家主要的醫療設備制造商使用。這些高性能TVS陣列在封裝中使用非鐵性材料，因而適用于在強力磁性環境中運作的MRI設備和其它醫療設備。這一特性能夠提供額外保護，防止有害電壓尖刺損壞敏感的醫療設備中的數據并得出不準確的結果，對病患健康帶來不良的影響。

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