Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其Vishay Siliconix SiR662DP TrenchFET^® 榮獲專業媒體《電子技術應用》(AET)的“中國優秀電子產品”獎。

在采用SO-8或PowerPAK^® SO-8封裝的60V器件中，SiR662DP 60V N溝道功率MOSFET具有業內較低的導通電阻，以及60V器件中較低的導通電阻與柵極電荷乘積優值系數(FOM)。對于設計者，更低的MOSFET導通電阻使得傳導損耗更低，可減少功耗，尤其是在重負載條件下。低FOM減少了高頻和開關應用中的開關損耗，特別是在輕負載和待機模式下。器件的高效率使設計者能夠提高系統的功率密度，或同時在更綠色的設計方案中實現更低的能源損耗。

在兩個月的時間內，用戶通過在www.ChinaAET.com投票的方式選出了中國優秀電子產品獎的獲獎者。118款提名產品中有31款獲獎，SiR662DP榮獲分立元器件類的獎項。

《電子技術應用》創刊于1975年，內容覆蓋中國的電子、通信、工業控制和計算機行業。這是該雜志第三年評選中國優秀電子產品獎。

VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1,000 強企業”，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的較大制造商之一。這些元器件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網站 www.vishay.com。

TrenchFET^®和PowerPAK^®是Vishay Siliconix公司的注冊商標。