器件在4.5V下導(dǎo)通電阻僅為34mΩ，具有1.6mm x 1.6mm的占位面積和不到0.8mm的高度，可在1.2V的電壓下導(dǎo)通，適用于更低電壓的手持式電子產(chǎn)品

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET^®功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導(dǎo)通的此類器件。

新款SiB437EDKT可用做智能手機(jī)、MP3播放器、便攜式多媒體播放器、數(shù)碼相機(jī)、電子書和平板電腦等手持設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)。器件的熱增強(qiáng)Thin PowerPAK^® SC-75封裝占位面積小，超薄的高度只有0.65mm，能夠?qū)崿F(xiàn)更小、更薄的終端產(chǎn)品，而低導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗，節(jié)約能源，并在這些設(shè)備中較大化電池的運(yùn)行時(shí)間。

MOSFET可在1.5V和1.2V電壓下導(dǎo)通，能夠搭配手持設(shè)備中常見的更低電壓的柵極驅(qū)動(dòng)和更低的總線電壓，從而省去了電平轉(zhuǎn)換電路的空間和成本。在手持設(shè)備中電池電量較低，并且要求消耗盡可能少的能量時(shí)，這種MOSFET尤其有用。

SiB437EDKT在4.5V、1.8V、1.5V和1.2V下具有34mΩ、63mΩ、84mΩ和180mΩ的超低導(dǎo)通電阻。同樣采用1.6mmx1.6mm占位、高度小于0.8mm的較接近的P溝道器件在4.5V、1.8V和1.5V下的導(dǎo)通電阻為37mΩ、65mΩ和100mΩ，這些數(shù)值分別比SiB437EDKT高8%、5%和16%。

SiB437EDKT經(jīng)過了100%的Rg測試，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2002/95/EC。MOSFET的典型ESD保護(hù)為2000V。

新款SiB437EDKT TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。

VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富1,000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的較大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。