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科銳展示業界首款用于衛星通信的 C 波段 GaN HEMT 單片式微波集成電路(MMIC) 高功率放大器

2011年06月26日08:51:05 本網站 我要評論(2)字號:T | T | T
關鍵字:應用 半導體 通信 

科銳公司(納斯達克:CREE)日前在巴爾的摩舉行的 2011 年 IEEE 國際微波研討會上展出業界首款面向衛星通信應用的 GaN HEMT MMIC 高功率放大器 (HPA) 。與現有商用 GaAs MESFET 晶體管或基于行波管的放大器相比,該產品可大幅提高性能。

 

科銳無線射頻(RF) 總監 Jim Milligan 指出:“這是首款可為衛星通信應用提供全新高性能的 GaN MMIC 產品,因為我們的 GaN HEMT 技術可實現出色的線性效率與功率增益。我們預計 GaN 產品不但將對熱管理技術產生巨大影響,還可使商用及軍用衛星通信系統的尺寸更小、重量更輕。”

 

CMPA5585025F MMIC 采用多引腳陶瓷/金屬封裝 (1”x 0.38”) ,是一款 50 歐姆 (Ω) 、25 瓦特峰值功率的雙級 GaN HEMT 高功率放大器 (HPA) 。MMIC 的工作瞬時帶寬為 5.8 GHz 至 8.4 GHz,提供 15 瓦特線性功率(<-30 dBc 的相鄰頻道功率) 與 20 dB 功率增益。在該線性運行功率下,功率附加效率為 25%。

 

該器件采用小型封裝,可減小晶體管尺寸與重量,降低熱管理的成本,從而實現出色的線性效率(比傳統解決方案高 60%)。此外,該器件運行時需要的工作電壓(28 伏特)大于 GaAs MESFET(12 伏特),因此晶體管還支持更低流耗,可降低功率分布損耗,實現更高的整體系統效率。

 

CMPA5585025F 現已開始提供樣片,并將于 2011 年夏天投入量產。如欲了解更多產品詳情,敬請訪問:www.cree.com/rf

 

關于科銳(CREE

科銳成立于1987年,是美國上市公司(1993年,納斯達克:CREE),為世界化合物半導體材料、外延、芯片、封裝與LED照明解決方案為一體的著名制造商和行業領先者。科銳 LED 照明產品的優勢體現在氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等方面獨一無二的材料技術與先進的白光技術,擁有1,100多項美國專利和2,800多項國際專利,使得科銳LED產品始終處于世界領先水平。科銳照明級大功率LED,具有光效高、色點穩、壽命長等優點。科銳在向客戶提供高質量、高可靠發光器件產品的同時也向客戶提供成套的LED照明解決方案。

 

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