科銳公司（納斯達克：CREE）日前在巴爾的摩舉行的 2011 年 IEEE 國際微波研討會上展出業界首款面向衛星通信應用的 GaN HEMT MMIC 高功率放大器 (HPA) 。與現有商用 GaAs MESFET 晶體管或基于行波管的放大器相比，該產品可大幅提高性能。

科銳無線射頻（RF） 總監 Jim Milligan 指出：“這是首款可為衛星通信應用提供全新高性能的 GaN MMIC 產品，因為我們的 GaN HEMT 技術可實現出色的線性效率與功率增益。我們預計 GaN 產品不但將對熱管理技術產生巨大影響，還可使商用及軍用衛星通信系統的尺寸更小、重量更輕。”

CMPA5585025F MMIC 采用多引腳陶瓷/金屬封裝 (1”x 0.38”) ，是一款 50 歐姆 (Ω) 、25 瓦特峰值功率的雙級 GaN HEMT 高功率放大器 (HPA) 。MMIC 的工作瞬時帶寬為 5.8 GHz 至 8.4 GHz，提供 15 瓦特線性功率（<-30 dBc 的相鄰頻道功率) 與 20 dB 功率增益。在該線性運行功率下，功率附加效率為 25%。

該器件采用小型封裝，可減小晶體管尺寸與重量，降低熱管理的成本，從而實現出色的線性效率（比傳統解決方案高 60%）。此外，該器件運行時需要的工作電壓（28 伏特）大于 GaAs MESFET（12 伏特），因此晶體管還支持更低流耗，可降低功率分布損耗，實現更高的整體系統效率。

CMPA5585025F 現已開始提供樣片，并將于 2011 年夏天投入量產。如欲了解更多產品詳情，敬請訪問：www.cree.com/rf。

關于科銳（CREE）

科銳成立于1987年，是美國上市公司（1993年，納斯達克：CREE），為世界化合物半導體材料、外延、芯片、封裝與LED照明解決方案為一體的著名制造商和行業領先者。科銳 LED 照明產品的優勢體現在氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等方面獨一無二的材料技術與先進的白光技術，擁有1,100多項美國專利和2,800多項國際專利，使得科銳LED產品始終處于世界領先水平。科銳照明級大功率LED，具有光效高、色點穩、壽命長等優點。科銳在向客戶提供高質量、高可靠發光器件產品的同時也向客戶提供成套的LED照明解決方案。