Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型 20V n 通道器件 --- SiR440DP，擴展了其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。該器件采用 PowerPAK® SO-8 封裝，在 20V 額定電壓時具有業界較低導通電阻及導通電阻與柵極電荷乘積。

SiR440DP 在 4.5V 柵極驅動時較大導通電阻為 2.0mΩ，在 10V 柵極驅動時較大導通電阻為 1.55mΩ。導通電阻與柵極電荷乘積是直流到直流轉換器應用中MOSFET 的關鍵優值 (FOM)，在 4.5V 時為 87。

與為實現低傳導損耗及低切換損耗而優化的較接近的同類競爭器件相比，這些規格表示在 4.5V 及 10V 時導通電阻分別降低 23% 與 22.5%，FOM 降低 27%。更低的導通電阻及柵極電荷意味著更低的傳導損耗及切換損耗。

Vishay Siliconix SiR440DP 將在同步降壓轉換器以及二級同步整流及 OR-ing 應用中用作低端 MOSFET。其低傳導及切換損耗將確保穩壓器模塊 (VRM)、服務器及使用負載點 (POL) 功率轉換的諸多系統實現功效更高且更節省空間的設計。

Vishay還推出了新型 20V SiR866DP 和 SiR890DP n 通道功率 MOSFET。這些器件在 4.5V 時分別提供 2.5mΩ 與 4mΩ 的導通電阻，在 10V 時為 1.9mΩ 及 2.9mΩ，典型柵極電荷為 35.3nC 及 20nC。所有這三款新型功率 MOSFET 均采用 PowerPAK SO-8 封裝。這些器件無鉛 (Pb)，無鹵素，并且符合 RoHS 標準，因此符合有關消除有害物質的國際法規要求。

www.vishay.com