Intersil推出QFN封裝,集成PWM、驅(qū)動(dòng)器、MOSFET和電感器的功率模塊
Intersil公司宣布,推出節(jié)省空間、降低成本、簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)的高集成度功率轉(zhuǎn)換模塊ISL8201M。
ISL8201M是高效率、低噪聲、高集成度的DC/DC電源解決方案,在熱增強(qiáng)的QFN封裝內(nèi)集成了PWM控制器、MOSFET驅(qū)動(dòng)器、功率MOSFET、電感器,以及優(yōu)化的補(bǔ)償電路。
ISL8201M使電源的設(shè)計(jì)過(guò)程大為簡(jiǎn)化,只需輸入和輸出電容器,以及一個(gè)電阻器,即可實(shí)現(xiàn)一個(gè)完整的電源方案。在電信、數(shù)據(jù)通信、電子數(shù)據(jù)處理、無(wú)線網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、醫(yī)療儀器,以及基于負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用的分布式總線架構(gòu)等應(yīng)用中,ISL8201M小巧的尺寸可大大節(jié)省電路板面積,同時(shí)高集成度又降低了采購(gòu)和倉(cāng)儲(chǔ)成本。另外,板上的輸入濾波器支持超低噪聲的操作,從而減少EMI。
ISL8201M的QFN封裝能夠?qū)崃客ㄟ^(guò)PCB板順暢地傳遞出去,從而實(shí)現(xiàn)了高達(dá)93%的轉(zhuǎn)換效率和優(yōu)異的熱性能。在封裝底部的大面積覆銅使ISL8201M的功率密度達(dá)到了近200W/in3,幾乎是目前開(kāi)放式模塊的4倍,因此也不需要使用散熱片。其他特性包括:內(nèi)部軟啟動(dòng)、自動(dòng)恢復(fù)的過(guò)電流保護(hù)、可選的ENABLE引腳,以及預(yù)偏置的輸出啟動(dòng)能力。
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