全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出采用新型 WideLead TO-262 封裝的車用 MOSFET 系列，與傳統(tǒng)的 TO-262封裝相比，可減少 50% 引線電阻，并提高 30% 電流。

這款新型車用 MOSFET 系列適合需要低導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 的通用大負(fù)荷/高功率通孔應(yīng)用，內(nèi)燃機(jī) (ICE) 汽車電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)和電池開(kāi)關(guān)，以及各類微型和全混合動(dòng)力汽車。新器件采用 IR 先進(jìn)的硅和封裝技術(shù)，在顯著提高性能的同時(shí)可與現(xiàn)有的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)相匹配。

在標(biāo)準(zhǔn) TO-262 通孔封裝中，除了 MOSFET 導(dǎo)通電阻，源極和漏極引線電阻可增至1mΩ。新 WideLead TO-262 通孔封裝可將引線電阻降至不到 0.5 mΩ，大大減少了引線中的傳導(dǎo)損耗和熱量，在特定的工作溫度下，比傳統(tǒng)的 TO-262 封裝的電流承載能力高30%。根據(jù)評(píng)估，在直流電為 40A 和 60A 的條件下，WideLead 引線溫度比標(biāo)準(zhǔn) TO-262分別低 30% 和 39%。此外，隨著其它封裝技術(shù)的提高，WideLead 比標(biāo)準(zhǔn) TO-262 封裝中的同等 MOSFET 少傳輸 20% 導(dǎo)通電阻。

IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“新型 WideLead TO-262 封裝的設(shè)計(jì)靈感來(lái)自于DirectFET^® 封裝超低芯片自由阻抗的出色性能，以及傳統(tǒng) TO-262 封裝的各種局限性。IR 新型 WideLead 封裝中的 MOSFET 新系列在傳輸高電流的同時(shí)，大大降低了引線中的傳導(dǎo)損耗和自身熱量，從而為汽車應(yīng)用提供了一個(gè)堅(jiān)固可靠的解決方案�！�

所有 IR 車用 MOSFET 產(chǎn)品都遵循 IR 要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念，并經(jīng)過(guò)了動(dòng)態(tài)和靜態(tài)器件平均測(cè)試及 100% 自動(dòng)晶圓級(jí)目視檢查。

新器件符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，是在IR要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念下研制而成的。它環(huán)保、無(wú)鉛，也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。

產(chǎn)品規(guī)格

有關(guān)產(chǎn)品現(xiàn)已接受批量訂單。相關(guān)產(chǎn)品資料、應(yīng)用說(shuō)明和認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)請(qǐng)?jiān)L問(wèn) IR 網(wǎng)站 www.irf.com 。現(xiàn)有 Spice 模型供申請(qǐng)。

專利和商標(biāo)

IR^® 是國(guó)際整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注冊(cè)商標(biāo)。文中所提及其它產(chǎn)品名稱均為對(duì)應(yīng)持有人所有的商標(biāo)。

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IR簡(jiǎn)介

國(guó)際整流器公司 (簡(jiǎn)稱 IR，紐約證交所代號(hào) IRF) 是全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商。IR 的模擬及混合信號(hào)集成電路、先進(jìn)電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)高性能計(jì)算設(shè)備及降低電機(jī)的能耗 (電機(jī)是全球較大耗能設(shè)備) ，是眾多國(guó)際知名廠商開(kāi)發(fā)下一代計(jì)算機(jī)、節(jié)能電器、照明設(shè)備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國(guó)防系統(tǒng)的電源管理基準(zhǔn)。

IR 成立于 1947 年，總部設(shè)在美國(guó)洛杉磯，在二十個(gè)國(guó)家設(shè)有辦事處。IR 全球網(wǎng)站：www.irf.com，中國(guó)網(wǎng)站：www.irf.com.cn。