全新射頻功率MOSFET系列整合了業界較強固的芯片與高散熱效率封裝，為設計人員實現更高的可靠性和性能

橫跨多重電子應用領域、全球領先的功率半導體供應商（STMicroelectronics，簡稱ST，紐約證券交易所代碼：STM）推出新一代高頻功率晶體管。新產品可有效延長如醫用掃描儀和等離子發生器等大功率射頻設備的運行時間，并可提高應用性能及降低設備成本。

經制程升級后，意法半導體較新的射頻功率MOSFET晶體管可承受高達200V的峰值電壓，比同類競爭產品高20%以上。更高的耐用性可有效延長功率晶體管的使用壽命，從而降低設備的停機時間和經營成本。先進的制程還能提高MOSFET的增益、能效及大功率特性，進而提高設備性能，并簡化設計。

此外，新產品采用較新的陶瓷封裝和意法半導體的塑膠氣室（STAC^®）封裝技術，這兩種封裝可加快裸片散熱過程和提高可靠性，進一步降低設備維護成本。

SD4931和SD4933分別是150W和300W N溝道射頻功率MOSFET晶體管，適用于50V DC信號高達250MHz的應用。采用意法半導體的強化垂直硅制程和配備倒螺栓安裝凸緣的密閉陶瓷封裝是這個系列器件的兩大優勢。

STAC4932B和STAC4932F采用意法半導體的倒螺栓無凸緣的STAC封裝，適合100V脈沖/額定功率1000W以上的射頻應用，如光驅和核磁共振影像（MRI）。擁有高散熱率和高能效的 STAC封裝配備散熱基座，可直接焊接散熱器，讓MOSFET晶體管能夠輸出大功率的高頻信號，較大限度地提升應用可靠性，延長設備的使用壽命。

主要特性：

• 擊穿電壓(V_(BR)DSS) > 200V
• 較大結溫200°C
• 可承受20:1的全部相位負載失匹率（SD4931/4933）
• 輸出功率 (P_OUT):：      

1. 在175MHz時，較低150W，14.8dB增益（SD4931)
2. 在30MHz時，較低300W，24dB增益（SD4933）
3. 在123MHz時，較低1000W（正常1200W），26dB增益  （STAC4932B/F）

采用陶瓷封裝的STAC4932B現已量產；采用STAC封裝的STAC4932F預計于今年6月量產。

更多詳情，請訪問意法半導體公司網站：www.st.com/rf

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意法半導體（STMicroelectronics；ST）是全球領先的半導體解決方案提供商，為各種應用領域的電子設備制造商提供創新的解決方案。憑借公司掌握的大量技術、設計能力和知識產權組合、戰略合作伙伴關系和制造實力，意法半導體矢志成為多媒體融合和功率應用領域無可爭議的行業領袖。2010年，公司凈收入為103.5億美元。詳情請訪問意法半導體公司網站 www.st.com