快速切換常開型 SiC JFET；沒有尾電流，切換功耗比同類 1200 V 電源開關(guān)低四至十倍

SemiSouth Laboratories 公司日前宣布推出全新 45 毫歐、1200 V 業(yè)界阻值較低的常開型溝槽 SiC 功率 JFET 產(chǎn)品系列。該公司是針對碳化硅 (SiC) 晶體管進行技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)的領(lǐng)先制造商，其產(chǎn)品主要定位于高功率、高效率和惡劣環(huán)境電源管理和轉(zhuǎn)換應(yīng)用。 這些突破性裝置的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括太陽能逆變器、SMPS、感應(yīng)加熱、UPS、風(fēng)能應(yīng)用和電動機驅(qū)動。溝槽型 SiC JFET 系列于 2008 年首次推出，本裝置是其第六代產(chǎn)品。該較新裝置具有全球商用 SiC 晶體管較低的導(dǎo)通阻值。

本產(chǎn)品之芯片片芯尺寸較小，且可提供業(yè)界較低的導(dǎo)通電阻 RDS（開），較大阻值僅為 0.045Ω，它具有恰當?shù)牡蜄艠O電荷和固有電容，可實現(xiàn)高效、低損耗和高頻率操作。  除方便并聯(lián)的正溫度系數(shù)外，新型 SJDP120R045 JFET 還可提供迅速的切換且沒有尾電流，TO-247 封裝的工作溫度甚至高達 175℃。此外，本產(chǎn)品還可為模塊合作伙伴提供裸芯片 (SJDC120R045)。在電壓控制方面，JFET 有數(shù)種簡單的柵極驅(qū)動方案。有關(guān)完整的參考設(shè)計和應(yīng)用注釋，請向本公司索取。

銷售總監(jiān) Dieter Liesabeths 評論： 「SemiSouth 的 SiC 功率半導(dǎo)體能夠以極具競爭力的價格提供業(yè)界領(lǐng)先性能。 這些 JFET 的切換損耗比同類裝置低三至四倍，導(dǎo)通電阻甚至可減少一半，以更低的價格提供更高的穩(wěn)定性。憑借我們簡單的門極驅(qū)動解決方案，它們比 MOSFET 更易于驅(qū)動。 JFET 有兩種商業(yè)封裝：TO-247 (SJDP120R045) 和裸芯片封裝 (SJDC120R045)，以便整合到高性能和高效率功率模塊之中。本產(chǎn)品深受太陽能逆變器、汽車、醫(yī)療、風(fēng)能應(yīng)用、工業(yè)電源和其它市場的歡迎，其應(yīng)用范圍正迅速擴大。」

SemiSouth 產(chǎn)品可透過多家優(yōu)質(zhì)代理商/分銷商的全球分銷網(wǎng)絡(luò)提供，他們的聯(lián)絡(luò)信息載于此處： (http://www.semisouth.com/contact/salesreps-distributors.html)。