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Vishay接近與環境光光學傳感器和功率MOSFET榮獲EN-Genius的年度產品獎

2011年03月28日11:18:31 本網站 我要評論(2)字號:T | T | T

 

Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,其VCNL4000接近與環境光光學傳感器及SiR880DP ThunderFET® 80 V功率MOSFET榮獲EN-Genius Network (www.en-genius.net)頒發的年度產品獎,該網站在為電子設計工程師提供信息來源方面走在業界前列。
 
EN-Genius 2010年度產品獎的獲獎產品是由EN-Genius主編Paul McGoldrick,以及編輯Lee Goldberg和Alex Mendelsohn從年內公開發布的產品中挑選出來的。
 
Vishay的VCNL4000被EN-Genius授予光檢測領域的較佳研發獎。該器件完整集成了接近與環境光光學傳感器,在業內首次將紅外濾波器、光PIN二極管、環境光探測器、信號處理IC和16bit ADC集成進小尺寸的3.95 mm x 3.95 mm x 0.75 mm無引線(LLP)表面貼裝封裝里。節省空間的VCNL4000支持易用的I2C總線通信接口,能夠在各種消費和工業應用中大幅簡化設計。
 
EN-Genius表示:“Vishay將光探測領域的豐富經驗應用到這個產品上,對于移動設備的接近檢測、顯示/鍵盤對比度控制和調光應用,這款產品在性能和尺寸都堪稱完美。產品定價非常合理,在性能表現上也極為出色。”
 
Vishay的ThunderFET SiR880DP被EN-Genius評為較佳高壓功率MOSFET,該MOSFET在制造過程中采用了一種新的為更高電壓MOSFET優化的低導通電阻技術。SiR880DP是首款可在4.5V柵極驅動下導通的80V功率MOSFET,采用熱增強型PowerPAK® SO-8封裝,在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低導通電阻。在4.5V下,典型導通電阻與柵極電荷乘積為161,該數值是衡量DC-DC轉換器應用中MOSFET的優值系數(FOM,單位是nC-mΩ)。
 
EN-Genius評價:“N溝道SiR880DP的顯著特點是兼有高電壓等級和4.5V柵極驅動等級,且能提供超低的導通電阻。SiR880DP能在4.5V電壓下導通,這樣就能用5V PWM IC實現更高頻率的轉換器,而不需要目前所使用的6V器件。產品定價非常有吸引力,還能讓以前的設計在DC-DC轉換器中繼續發揮余熱。”
 
Vishay獲獎產品的鏈接如下:
http://www.vishay.com/docs/83798 (VCNL4000)
http://www.vishay.com/docs/65702 (SiR880DP)
 
VCNL4000和SiR880DP現可提供樣品,并已實現量產,大宗訂貨的供貨周期分別為十周和十六周。
 
VISHAY簡介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1,000 強企業”,是全球分立半導體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的較大制造商之一。這些元器件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創新、成功的收購戰略,以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細信息,敬請瀏覽網站 www.vishay.com
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