Vishay Siliconix的新款100V N溝道TrenchFET®功率MOSFET

2011年03月07日12:29:06 本網站我要評論(2)字號：T | T | T

器件采用新型ThunderFET^®技術和SO-8/PowerPAK^® SO-8封裝

賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 3 月 7 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款新的100V N溝道TrenchFET^®功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET^®技術，在具有4.5V電壓等級的100V MOSFET中具有業內較低的導通電阻。此外，該器件的導通電阻與柵極電荷乘積也是同類產品中較佳的，該數值是衡量DC/DC轉換器應用中MOSFET性能的優值系數(FOM)。

SiR870DP在4.5V電壓下的7.8mΩ導通電阻是業內較低的。這款MOSFET在10V電壓下的導通電阻也非常低，僅有6mΩ。對于設計者來說，更低的器件導通電阻意味著更低的傳導損耗，同時也使節能的綠色產品減少功耗。

SiR870DP在4.5V電壓下具有低至208 mΩ-nC的FOM，從而能在更高頻率和開關應用中降低傳導和開關損耗。對于采用SO-8封裝器件的設計者，Si4190DY在10V和4.5V電壓下的導通電阻為8.8mΩ和12mΩ，在10V和4.5V下的FOM分別為340 mΩ-nC和220 mΩ-nC，均達到業內較佳水準。

今天發布的器件針對用于電信的磚式電源和總線轉換器應用的隔離式DC/DC電源中初級側開關和次級側同步整流進行了優化。這些MOSFET能在4.5V電壓下導通，因此各種PWM和柵極驅動IC都能進入到設計者的備選之列。而使用5V額定電壓的IC，不但能夠降低柵極驅動損耗，而且由于無需使用單獨的12V電源軌，能夠簡化電源的整體設計。

SiR870DP和Si4190DY經過了100%的Rg和UIS測試。MOSFET符合IEC 61249-2-21的無鹵素規定，并符合RoHS指令2002/95/EC。

器件規格表:

型號	SiR870DP	Si4190DY
封裝	PowerPAK SO-8	SO-8
V_DS (V)	100	100
V_GS (V)	± 20	± 20
R_DS(ON) @ 10 V (mΩ)	6	8.8
R_DS(ON) @ 7.5 V (mΩ)	6.4
R_DS(ON) @ 4.5 V (mΩ)	7.8	12
FOM @ 10 V (mΩ-nC)	334	340
FOM @ 7.5 V (mΩ-nC)	272
FOM @ 4.5 V (mΩ-nC)	208	220

新款MOSFET現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十六周。

VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1,000 強企業”，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的較大制造商之一。這些元器件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網站 www.vishay.com。

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