Vishay Siliconix的雙芯片P溝道器件刷新業(yè)內(nèi)較低導(dǎo)通電阻紀(jì)錄

2011年03月03日16:29:37 本網(wǎng)站我要評(píng)論(2)字號(hào)：T | T | T

第三代TrenchFET^®功率MOSFET在2mm x 2mm占位面積內(nèi)及4.5V電壓下提供54mΩ超低導(dǎo)通電阻

賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 3 月 2 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET^®功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK^® SC-70封裝，具有8V柵源電壓和迄今為止雙芯片P溝道器件所能達(dá)到的較低導(dǎo)通電阻。

新的 SiA923EDJ可用于DC-DC轉(zhuǎn)換器，以及智能手機(jī)、MP3播放器、平板電腦和電子書(shū)等手持設(shè)備中的充電和負(fù)載開(kāi)關(guān)。更低的MOSFET導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗，從而在這些設(shè)備中節(jié)省電能并延長(zhǎng)兩次充電之間的電池壽命。

SiA923EDJ在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V時(shí)分別具有54mΩ、70mΩ、104mΩ和165mΩ的超低導(dǎo)通電阻。具有8V柵源電壓等級(jí)且性能較接近的P溝道器件在4.5V、2.5V、1.8V和1.5 V時(shí)的導(dǎo)通電阻為60mΩ、80mΩ、110mΩ和170mΩ，分別比SiA923EDJ高10%、12%、5%和3%。

MOSFET在1.5V電壓下就能導(dǎo)通，因而能夠配合手持設(shè)備中常用的電壓更低的柵極驅(qū)動(dòng)器和更低的總線電壓一起工作，不需要在電平轉(zhuǎn)換電路上浪費(fèi)空間和成本。SiA923EDJ的低導(dǎo)通電阻使其在峰值電流下的電壓降更小，能夠更好地防止有害的欠壓鎖定事件。緊湊的2mmx 2mm PowerPAK SC-70封裝只有TSOP-6的一半大小，而導(dǎo)通電阻則相近或更佳，并且在相同環(huán)境條件下的散熱多65%。

SiA923EDJ經(jīng)過(guò)了100%的Rg測(cè)試，符合IEC 61249-2-21的無(wú)鹵素規(guī)范及RoHS指令2002/95/EC。MOSFET的典型ESD保護(hù)達(dá)2500V。

SiA923EDJ與此前發(fā)布的具有12V較大柵源電壓等級(jí)的20V SiA921EDJ P溝道MOSFET互為補(bǔ)充。隨著SiA923EDJ的發(fā)布，設(shè)計(jì)者現(xiàn)在可以從具有更高柵極驅(qū)動(dòng)電壓的SiA921EDJ或具有更低閾值電壓及更低導(dǎo)通電阻的器件當(dāng)中選擇合適的產(chǎn)品。

新款SiA923EDJ TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十四周到十六周。

VISHAY簡(jiǎn)介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富1,000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無(wú)源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的較大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場(chǎng)中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息，敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。

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