Aviza推出Stration fxP 300mm離子束沉積系統
亞微納技術公司(Aviza,納斯達克股票代碼: AVZA),是一家全球半導體業及相關市場的先端半導體主要設備和工藝技術的供應商,近日公開發布StratIon? fxP的市場導入,世界上第一個可用于300毫米的離子束沉積系統。第一個系統已被送至歐洲在電子工學和自旋電子工學里較著名中的一個應用研究中心,法國格勒諾布爾市的CEA-LETI-MINATEC。 StratIon fxP將被用于開發下一世代立基于磁隧道接合(MTJ)的器件之應用,其范圍包括磁阻式隨機存儲器(MRAM)、硬盤驅動讀取頭或射頻元件。該系統也將被用于先端互補金屬氧化物半導體(CMOS)金屬柵極之沉積。除了該系統之發送外,亞維納和CEA-LETI還簽署了一份三年的聯合開發計劃,概括了針對未來在磁阻式隨機存儲器MRAM和自旋電子工學器件磁隧道接合沉積工藝技術上的開發。
StratIon fxP采用了離子束工藝進行金屬和介質薄膜的沉積,這是世界上第一個運用離子束沉積于300毫米晶片制造的系統。 該系統專為高量產硅晶圓工廠而設計,它基于多個經生產驗證的硬件及軟件平臺,并且可配置三種標準類型處理室。預清潔、氧化及沉積。又可無縫地添加額外的亞微納沉積處理室,例如原子層沉積(ALD)室和磁電管物理氣相沉積(PVD)室以獲得更多彈性。 StratIon? fxP提供了低價的擁有成本(COO),高產能,占積率比目前使用于磁道接合(MTJ)沉積的其它系統小些。
Leti公司的首席行政官Laurent Malier說:“亞微納公司的StratIon fxP系統是我們在自旋電子工學開發流程中的一個絕對必要的組件,” “通過和亞微納這樣的設備供應商在自旋電子工學上的協力合作,我們相信我們能夠為未來自旋電子工學器件提供更高性價比和更具生產價值的解決方案,因為它能轉移到高量產化。”
亞微納的離子束沉積提供了比傳統磁電管濺射法更超越的關鍵優勢。 使用了亞微納專利的MORI等離子體源能實現超低氣壓沉積來形成膜,其光滑度比那些用現有的磁隧道接合濺射沉積設備所生產的薄膜高兩倍。 光滑度是磁隧道接合堆棧的一個重要參數,較薄的薄膜厚度少于10埃。 StratIo fxP在300毫米晶片上可制造出粗糙度少于2埃均方根而厚度的不均勻度少于0.5百分比的膜。
“我們很高興和像Leti這樣一家有名的研究中心成為合作伙伴,”亞微納技術公司首席行政官Jerry Cutini說。 “我們相信,在此合作關系下結合了兩家公司的技術專長,將幫助加快對磁阻式隨機存儲器(MRAM)和自旋電子工學技術的采用。Aviza和Leti將致力于支持磁阻式隨機存儲器(MRAM)和自旋電子工學領域的IC制造者,當他們的焦點由研究轉移到量產化時。”
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