Vishay Siliconix繼續擴大應用在醫療電子領域中的功率MOSFET的領先優勢
新款器件用于植入式醫療應用,封裝尺寸降至1.6mmx1.6mm,導通電阻降至0.4Ω
賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 10 月 25 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,將為業內首個用于植入式醫療應用的功率MOSFET系列增添兩款新器件 --- SMMA511DJ 和 SMMB912DK。這些MOSFET采用強化的工藝流程制造,對制造工藝進行了嚴格控制。
今天發布的器件是一款采用PowerPAK® SC-70 (SMMA511DJ)封裝的N溝道和P溝道12V MOSFET,及一款采用PowerPAK SC75 (SMMB912DK)封裝的20V雙N溝道MOSFET。通過對每個批次的產品施加強化的質量控制閥:統計箱限制(SBL)、良品率限制(SYL),對晶圓和器件封裝進行部件平均測試(PAT)控制,以及對所有批次的晶圓進行一致可靠性測試,確保新MOSFET獲得區別于商用器件的高質量和高可靠性。嚴格的SMM醫療MOSFET工藝流程還包括0.04%的合格質量標準(AQL)。
新MOSFET的應用將包括送藥系統、除顫器、起搏器、助聽器和其他植入式設備中的負載切換。器件的小封裝尺寸(SMMA511DJ為2mmx2mm,SMMB912DK為1.6mmx1.6mm)將有助于節省小型醫療設備中的空間,同時其低至0.4Ω的超低導通電阻能夠降低傳導損耗,從而延長電池壽命。
關鍵的器件規格見下表:
型號 |
SMMA511DJ |
SMMB912DK | |
封裝 |
PowerPAK SC-70 |
PowerPAK SC-75 | |
類型 |
N溝道 |
P溝道 |
雙N溝道 |
VDS (V) |
12 |
- 12 |
20 |
RDS(ON) @ 4.5 V (Ω) |
0.040 |
0.070 |
0.215 |
RDS(ON) @ 2.5 V (Ω) |
0.048 |
0.100 |
0.268 |
RDS(ON) @ 1.8 V (Ω) |
0.063 |
0.140 |
0.375 |
不斷擴大的Vishay Siliconix SMM醫療MOSFET系列包括采用各種封裝尺寸的N溝道、P溝道,以及N溝道和P溝道成對配置的器件。網址http://www.vishay.com/medical-mosfets/提供完整的詳細信息。
SMMA511DJ和SMMB912DK現可提供樣品,將于2010年4季度實現量產,大宗訂貨的供貨周期為十六周。
VISHAY簡介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1,000 強企業”,是全球分立半導體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)(二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選 IC)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器、傳感器及轉換器)的較大制造商之一。這些元器件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。(這些元件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫療市場的各種類型的電子設備)。憑借產品創新、成功的收購戰略,以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細信息,敬請瀏覽網站 www.vishay.com。
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