英飛凌科技股份公司在中國國際電源展覽會上宣布推出采用SuperSO8和S308（Shrink SuperSO8）封裝的40V、60V和80V OptiMOS^™ 3 N溝道MOSFET，在這些擊穿電壓下可提供無鉛封裝形式下的全球較低通態電阻。SuperSO8封裝與標準TO（晶體管外形）封裝相比，可使功率密度增大50%，特別是對于服務器開關模式電源的同步整流應用而言。舉例來說，這種采用SuperSO8封裝的器件可以只用20%的占位空間提供與D²-Pak封裝相同的通態電阻。

圖1. 優化封裝及芯片帶來較佳的性價比。

該無鉛結構封裝具備較低的封裝寄生電阻和電感，較大程度降低了對整個器件性能的影響，便于充分利用OptiMOS 3硅技術功能。

全新OptiMOS 3系列可提供出類拔萃的通態電阻，OptiMOS 3 40V系列采用SuperSO8封裝具備較低1.8mW的通態電阻，OptiMOS 3 60V采用SuperSO8封裝具備較低2.8mW的通態電阻，OptiMOS 3 80V采用SuperSO8封裝具備較低4.7mW的通態電阻，與較接近的競爭性產品相比，通態電阻降幅高達50%，為業界樹立了新標桿。這些器件的FOM（品質系數，以通態電阻乘以柵極電荷得出）與采用標準TO封裝的同類產品相比高出25%，能夠更快速實現開關，同時較大程度降低開關損耗和柵極驅動損耗，提高功率密度，降低驅動器散熱量。SuperSO8封裝寄生電感不到0.5nH，比TO-220封裝的5-10nH電感低很多，這進一步提升了器件整體效率，較大程度上減少在開關條件下的振蕩現象。SuperSO8封裝高度為1mm，R_th-jt （結至頂端的熱阻）低于16°K/W，適用于嵌入式系統頂部冷卻解決方案或立式安裝在3D集成系統里的PCB模塊。

圖2. OptiMOS3 80V基準IFX測量值。

作為全球功率半導體領域的技術領袖，英飛凌引領超小封裝潮流，使通態電阻降低高達50%。英飛凌利用在功率半導體制造和封裝方面的領先技術，使功率半導體具備一流的效率和開關特性、更高的功率密度以及出色的性價比，從而大大降低系統成本。

產品及應用

OptiMOS 3 40V、60V和80V產品適用于需要高效率和功率密度的功率轉換和管理應用，包括眾多產品的SMPS（開關模式電源）、DC-DC轉換器和直流電機驅動器等。這些產品包括計算機、家用電器、小型電動車、工業自動化系統、電信設備和電動工具、電動剪草機和風扇等消費類電子設備。

采用SuperSO8封裝的OptiMOS 3可滿足多種應用中的快速開關SMPS和DC-DC轉換器的需求，譬如AC-DC SMPS中的同步整流器、隔離式DC-DC轉換器的主側開關和次側開關和非隔離（降壓）工業轉換器，對于這些應用而言，空間、功率密度和較大效率都是關鍵要素。該系列具備至PCB的1°K/W熱阻、頂部和雙側冷卻功能以及100A持續電流額定值，新的OptiMOS 3 MOSFET系列為40V至80V低電阻MOSFET樹立了新標桿。該系列還包括業界首款采用S3O8封裝的60V和80V擊穿電壓MOSFET，其占位空間與標準SO8或SuperSO8器件相比減少60%。

60V和80V SuperSO8器件與采用TO封裝的解決方案相比可使服務器SMPS的效率提高0.5%，或與標準解決方案相比，在通態電阻額定值提高20%的條件下，可獲得相同的效率。

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