量化射頻(RF)干擾對(duì)線性電路的影響
典型的精密運(yùn)算放大(運(yùn)放)器可以有1MHz的增益帶寬積。從理論上講,用戶可能期望千兆赫水平的RF信號(hào)衰減到非常低的水平,因?yàn)樗鼈冞h(yuǎn)遠(yuǎn)超出了放大器的帶寬范圍。然而,實(shí)際情況并非如此。事實(shí)上,包含在放大器內(nèi)的靜電放電(ESD)二極管、輸入結(jié)構(gòu)和其它非線性元件會(huì)在放大器的輸入端對(duì)RF信號(hào)進(jìn)行“整流”。在實(shí)際意義上,RF信號(hào)被轉(zhuǎn)換成一種直流(DC)偏移電壓,這種DC偏移電壓添加了放大器輸入偏移電壓。
用戶也許會(huì)問(wèn):“對(duì)于由給定RF信號(hào)產(chǎn)生的DC偏移電壓,我如何確定其幅度?”其實(shí),放大器對(duì)RF干擾的敏感性取決于該放大器所采用的設(shè)計(jì)和技術(shù)。例如,許多現(xiàn)代放大器具有內(nèi)置的RF濾波器,可盡量減少出現(xiàn)該問(wèn)題的幾率。該濾波器對(duì)低增益帶寬運(yùn)放而言是較有效的,因?yàn)樵摓V波器的截止頻率可以設(shè)置成較低的頻率,這能提供更高的RF信號(hào)衰減系數(shù)。除此之外,一些技術(shù)產(chǎn)品具有更強(qiáng)的內(nèi)在抗RF干擾能力。例如,比起雙極型器件,大多數(shù)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件具有更強(qiáng)的抗RF干擾能力。輸入級(jí)設(shè)計(jì)等其它因素也可影響抗RF干擾能力。
考慮到所有這些因素,電路板和系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)人員應(yīng)如何選擇放大器呢?答案是:要看電磁干擾抑制比(EMIRR)。該技術(shù)指標(biāo)類似于電源抑制比和共模抑制比,因?yàn)樗诜糯笃鞯妮斎攵藢F干擾的影響轉(zhuǎn)換成DC偏移電壓。作為一個(gè)例子,圖1展示了OPA333的EMIRR曲線。從曲線可注意到,當(dāng)頻率為1000MHz時(shí)該運(yùn)放具有120dB的EMIRR。這是非常高的抑制水平,使得直接把該曲線與其它器件的曲線進(jìn)行比較成為可能。
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