——飛兆半導(dǎo)體亞太區(qū)市場營銷副總裁藍(lán)建銅解讀提供業(yè)界領(lǐng)先效率和更高可靠性的全球首款SiC雙極結(jié)型晶體管

 

 

 

為努力實現(xiàn)更高的功率密度并滿足嚴(yán)格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運(yùn)行時間要求，工業(yè)和功率電子設(shè)計人員在進(jìn)行設(shè)計時面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。然而，在可再生能源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器、高密度電源、汽車以及井下作業(yè)等領(lǐng)域，要想增強(qiáng)這些關(guān)鍵設(shè)計性能，設(shè)計的復(fù)雜程度就會提高，同時還會導(dǎo)致總體系統(tǒng)成本提高。全球領(lǐng)先的高性能功率和移動半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司（Fairchild Semiconductor）首次推出的SiC雙極結(jié)型晶體管（BJT）產(chǎn)品組合即可在較高工作溫度下實現(xiàn)較低的總功率損耗。

 

飛兆半導(dǎo)體亞太區(qū)市場營銷副總裁藍(lán)建銅在發(fā)布這些產(chǎn)品時表示，全球推動提高能效已成為功率半導(dǎo)體持續(xù)的增長催化劑，特別是整個電網(wǎng)的能效都要求有較大的提高。為幫助設(shè)計人員解決這些難題，新款器件非常適合功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的碳化硅（SiC）技術(shù)解決方案，進(jìn)而拓展了公司在創(chuàng)新型高性能功率晶體管技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

 

PV逆變器、工業(yè)驅(qū)動器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、UPS、風(fēng)能、EV和HEV，以及井下、地?zé)岷蜕逃煤娇斩伎墒褂肧iC雙極結(jié)型晶體管

 

用新材料打造提高能效的技術(shù)解決方案

藍(lán)建銅說，提高能效的技術(shù)解決方案有助于實現(xiàn)高能效應(yīng)用，如運(yùn)動控制、HEV/EV和可再生能源，而SiC等新材料的使用將有力地推動這一進(jìn)程。據(jù)預(yù)測，到2015年，由于技術(shù)逐漸成熟，碳化硅市場有望出現(xiàn)較快的增長。

 

碳化硅有諸多屬性，如寬帶隙（硅的3倍）、高擊穿電場（硅的10倍）、高導(dǎo)熱率（硅的3倍）、高溫穩(wěn)定性（硅的3倍）。碳化硅在晶體管的優(yōu)勢體現(xiàn)在更高的效率（98%以上）、更小的器件（>300A/cm2）、速度更快的開關(guān)能力（<20ns）和穩(wěn)固可靠（UIL、SCSOA）。

 

飛兆半導(dǎo)體利用碳化硅開發(fā)的BJT解決方案具有更高的功率密度；在相同或更低損耗下采用較高的開關(guān)頻率，能夠使用較小的電感、電容和散熱片器件；在提高輸出功率的同時可保持系統(tǒng)外形尺寸；更低的系統(tǒng)成本；•對于相同硬件，通過減少損耗和提高功率密度，可減小冷卻裝置或增加功率輸出。此外，這些器件易于使用，具有RON正溫度系數(shù)，可采用簡單的基極直接驅(qū)動方案，縮短上市時間，實現(xiàn)簡便的系統(tǒng)移植。

 

飛兆半導(dǎo)體的SiC特性包括：經(jīng)過優(yōu)化的半標(biāo)準(zhǔn)化自定義技術(shù)解決方案，可充分利用自身較大的半導(dǎo)體器件與模塊封裝技術(shù)組合；憑借功能集成和設(shè)計支持資源簡化工程設(shè)計難題的先進(jìn)技術(shù)，可在節(jié)約工程設(shè)計時間的同時較大限度地減少元器件數(shù)量；具有尺寸、成本和功率優(yōu)勢的較小型先進(jìn)封裝集成了領(lǐng)先的器件技術(shù)，可滿足器件制造商和芯片組供應(yīng)商的需求。

首批產(chǎn)品表現(xiàn)優(yōu)異

 

在飛兆半導(dǎo)體SiC組合中首先要發(fā)布的一批產(chǎn)品是先進(jìn)的SiC雙極結(jié)型晶體管系列，該系列產(chǎn)品可實現(xiàn)較高的效率、電流密度和可靠性，并且能夠順利地進(jìn)行高溫工作。通過利用效率出色的晶體管，飛兆半導(dǎo)體的SiC BJT實現(xiàn)了更高的開關(guān)頻率，這是因為傳導(dǎo)和開關(guān)損耗較低（30-50%），從而能夠在相同尺寸的系統(tǒng)中實現(xiàn)高達(dá)40%的輸出功率提升。

 

飛兆半導(dǎo)體SiC BJT具有業(yè)界領(lǐng)先性能

 

這些強(qiáng)健的BJT支持使用更小的電感、電容和散熱片，可將系統(tǒng)總體成本降低多達(dá)20%。這些業(yè)界領(lǐng)先的SiC BJT性能出眾，可促進(jìn)更高的效率和出色的短路及逆向偏壓安全工作區(qū)，將在高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的功率管理優(yōu)化中發(fā)揮重大作用。

 

分立式驅(qū)動器配合使用

飛兆半導(dǎo)體還開發(fā)了即插即用的分立式驅(qū)動器電路板（15A和50A版本），作為整套碳化硅解決方案的一部分，與飛兆半導(dǎo)體的先進(jìn)SiC BJT配合使用時，不僅能夠在減少開關(guān)損耗和增強(qiáng)可靠性的條件下提高開關(guān)速度，還使得設(shè)計人員能夠在實際應(yīng)用中輕松實施SiC技術(shù)。

 

SiC BJT基礎(chǔ)驅(qū)動器板

 

飛兆半導(dǎo)體為縮短設(shè)計時間、加快上市速度，還提供了應(yīng)用指南和參考設(shè)計。應(yīng)用指南可供設(shè)計人員獲取SiC器件設(shè)計所必需的其他支持；參考設(shè)計有助于開發(fā)出符合特定應(yīng)用需求的驅(qū)動器電路板。

 

飛兆半導(dǎo)體的SiC BJT采用TO-247封裝；符合條件的客戶從現(xiàn)在起即可獲取工程設(shè)計樣品。

 

鞏固創(chuàng)新優(yōu)勢

藍(lán)建銅較后表示，飛兆半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域掌握的專業(yè)技術(shù)非常符合不斷發(fā)展的碳化硅市場狀況。公司的SiC產(chǎn)品組合將提供當(dāng)前競爭對手望塵莫及的速度、靈活性和總體性能優(yōu)勢。飛兆半導(dǎo)體致力于打造可幫助客戶實現(xiàn)成功的解決方案，通過不斷與客戶合作提供出色的多市場半導(dǎo)體產(chǎn)品，注重創(chuàng)新、服務(wù)和生產(chǎn)的卓越性。

 

SiC BJT驅(qū)動器規(guī)劃圖

 

通過在產(chǎn)品組合中引入基于SiC技術(shù)的新產(chǎn)品成員，飛兆半導(dǎo)體進(jìn)一步鞏固了其在創(chuàng)新型高性能功率晶體管技術(shù)領(lǐng)域的產(chǎn)品領(lǐng)先地位。飛兆半導(dǎo)體SiC解決方案將幫助功率產(chǎn)品開發(fā)人員獲得成功。

www.fairchildsemi.com。