基準(zhǔn)電壓源廣泛應(yīng)用于各種模擬集成電路、數(shù)／模混合信號(hào)集成電路和系統(tǒng)集成芯片(SoC)中，是集成電路的一個(gè)基本元件，其穩(wěn)定性直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的精度。然而，傳統(tǒng)的高性能基準(zhǔn)電路普遍采用帶隙基準(zhǔn)電路，與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝不兼容。為了解決帶隙基準(zhǔn)電路與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝不兼容問(wèn)題，一些學(xué)者提出了一定的解決方法，例如：利用N阱的寄生二極管設(shè)計(jì)帶隙基準(zhǔn)，利用CMOS管的亞閾值區(qū)工作原理設(shè)計(jì)基準(zhǔn)，利用載流子和閾值電壓在不同溫度下的特性設(shè)計(jì)基準(zhǔn)等。但是他們的電源抑制比普遍偏低，且溫度系數(shù)較大。

　　本文利用高電源抑制比電路設(shè)計(jì)的和式偏置電流源進(jìn)一步提高了電源抑制比，并利用NMOS和PMOS管的兩個(gè)閾值電壓VTHN和VTHP具有相同方向但不同數(shù)量的溫度系數(shù)，設(shè)計(jì)了一種基于不同VTH值的新型CMOS基準(zhǔn)。該設(shè)計(jì)充分利用CMOS器件高輸入阻抗、低功耗的特點(diǎn)，利用相同電流減少了載流子遷移率對(duì)溫度性能的影響，利用VRHN和VTHP溫度系數(shù)抵消原理和高電源抑制比和式電流源，大大降低了基準(zhǔn)的溫度系數(shù)，提高了電源抑制特性，使電路的性能得到優(yōu)化。

　　1 傳統(tǒng)帶隙電路原理

　　如圖1所示，傳統(tǒng)的帶隙電路主要是利用雙極型晶體管的基極-發(fā)射極電壓VBE具有負(fù)溫度系數(shù)，而兩個(gè)不同電流密度的雙極型晶體管之間的基極一發(fā)射極電壓差△VBE具有正溫度系數(shù)，將其乘以合適的系數(shù)K后，再與前者進(jìn)行加權(quán)，即：VREF=VBEK△VBE，從而在一定范圍內(nèi)就可以抵消VBE的溫度漂移效應(yīng)，得到低溫漂的輸出電壓VREF。K值將通過(guò)把VBE的表達(dá)式帶入VREF中，在參考溫度T0處令求得。

　　但是使用BJT管會(huì)占用很大的芯片面積且與在標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝中不能很好的兼容。

　　2 新型CMOS基準(zhǔn)電路原理

　　對(duì)于CMOS器件，其閾值電壓VTH和載流子遷移率μ是主要的受溫度因數(shù)影響的參量。雖然閾值電壓VTH和載流子遷移率μ的值都隨著溫度的升高而減小，但是MOS器件閾值電壓VTH和載流子遷移率μ的下降對(duì)于MOS管的漏電流ID有著完全相反的效果：閾值電壓VTH越低，漏電流ID越大；而載流子遷移率μ越小，漏電流ID越小。

　　由文獻(xiàn)可知，閾值電壓VTH與環(huán)境溫度有著近似的線性關(guān)系：

　　式中：aVT是閾值電壓VTH的溫度系數(shù)，其值介于1～4 mV／℃之間，對(duì)NMOS和PMOS是相互獨(dú)立且不同的。

　　載流子遷移率μ和環(huán)境溫度的關(guān)系為：

　　式中：μ(T0)是某基準(zhǔn)溫度時(shí)的載流子遷移率，且m介于1～2．5之間。

　　由式(1)可知，VTHN和VTHP具有不同的負(fù)溫度系數(shù)，只要取合適的系數(shù)K時(shí)：

　　就可以得到不隨溫度變化的基準(zhǔn)電壓VREF。

　　3 新型CMOS基準(zhǔn)電路設(shè)計(jì)

　　圖2為本文利用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝設(shè)計(jì)的基準(zhǔn)電路。該電路主要由啟動(dòng)電路、和式電流產(chǎn)生電路、有效負(fù)載電路構(gòu)成。電路的基本原理是利用高性能和式電流源產(chǎn)生高電源抑制比的PTAT電流，再利用NMOS和PMOS管的兩個(gè)閾值電壓VTHN和VTHP具有相同方向，但不同數(shù)量的溫度系數(shù)設(shè)計(jì)了一種基于不同VTH值的新型CMOS基準(zhǔn)。

　　3．1 和式電流源電路

　　由圖2可見(jiàn)，和式電流產(chǎn)生電路由自舉式偏置電路(由MOS管M6～M9和電阻R2構(gòu)成)產(chǎn)生偏置電流。設(shè)M9與M8的寬長(zhǎng)比為K1，則有：

　　但是由于體效應(yīng)的存在，使得R2中的電流隨電源電壓VDD的變化有一定改變。所以文中引入和式電流產(chǎn)生電路。

　　如圖2可知，電阻R1中的電流值為：

　　式中：K2為M5與M6的寬長(zhǎng)比。

　　由于MOS管的柵源電壓VGS幾乎不隨電源電壓的變化而變化，由式(6)、式(7)可知MOS管M4中的電流IM4的變化方向與R2中的電流IR2隨電源電壓的變化方向相反。

　　由圖2可知，取K3，K4分別為M10與M7，M11與M2的寬長(zhǎng)比，M13與M12，M15與M14的寬長(zhǎng)比為1，則MOS管ML1中的電流I為：

　　合理選擇式(8)中的K3，K4就能減小電源電壓VDD對(duì)電流I的影響。

　　由上面的分析和式電流源電路可以進(jìn)一步減小電源電壓對(duì)輸出電流的影響。

　　3．2 有效負(fù)載電路

　　由圖2可知，電流I流過(guò)MOS管M15，ML1時(shí)：

　　由式(2)可知，載流子遷移率μ是溫度的高階函數(shù)，若近似認(rèn)為μN，μP的溫度變化量相等，可將K看作常數(shù)，可得：

　　由式(3)和式(13)可知，取恰當(dāng)?shù)腒值，即合理選擇MOS管M15和ML1的寬長(zhǎng)比，就可以使閾值電壓VTHN和VTHP的溫度系數(shù)相抵消，使VREF幾乎不隨環(huán)境溫度的變化而變化。

　　3．3 電路的優(yōu)化

　　在圖2中MOS管M12，M13，M14，M15起電流鏡像作用，可以將這4個(gè)管子省去，直接將負(fù)載管ML1接到M10和M11的漏極。這樣將圖2優(yōu)化成圖3就可以少4個(gè)MOS管，節(jié)省版圖面積。

　　4 仿真與分析

　　通過(guò)上面的分析，初步確定該電路各器件尺寸，在0．6μm CMOS工藝下采用HSpice軟件進(jìn)行仿真可以得出，在3．3 V電源電壓下對(duì)溫度在-40～85℃范圍內(nèi)進(jìn)行直流掃描，基準(zhǔn)電壓曲線如圖4所示。在25℃下，對(duì)電源電壓在2．6～5．5 V的范圍內(nèi)進(jìn)行直流掃描，基準(zhǔn)電壓曲線如圖5所示。據(jù)此計(jì)算出的基準(zhǔn)電壓電源電壓調(diào)整率、溫度系數(shù)見(jiàn)表1。

　　與國(guó)際上已有的和CMOS兼容的電壓基準(zhǔn)電路的主要指標(biāo)進(jìn)行比較，結(jié)果如表2所示�？梢钥闯�，本文設(shè)計(jì)的CMOS基準(zhǔn)的溫度漂移率TFC遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于國(guó)際上已有的和CMOS兼容的電壓基準(zhǔn)電路。

　　5 結(jié)語(yǔ)

　　本文所設(shè)計(jì)的基于CMOS工藝的基準(zhǔn)電路結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單，既沒(méi)有放大器，也沒(méi)有BJT，適合于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝生產(chǎn)。通過(guò)HSpice驗(yàn)證，其輸出基準(zhǔn)電壓為1．22 V，在-40～85℃內(nèi)溫度系數(shù)僅為30 ppm／℃。當(dāng)電源電壓為2．6～5．5 V時(shí)，電源電壓調(diào)整率為1．996 mV／V，且溫度漂移率TFC遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于國(guó)際上已有的和CMOS兼容的電壓基準(zhǔn)電路，比較適合于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝。