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英飛凌推出具備180A額定電流和不足1毫歐通態電阻的30V車用 MOSFET

2010年08月05日10:12:14 本網站 我要評論(2)字號:T | T | T
關鍵字:應用 半導體 汽車 可靠性 

2010年8月4日,德國紐必堡訊——英飛凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX: IFNNY)近日面向大電流應用的汽車推出一款具備全球較低通態電阻的30V功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件,在10V柵源電壓條件下,漏極電流為180A,而通態電阻僅為0.9毫歐。采用D2PAK-7封裝的IPB180N03S4L-H0,可滿足客戶對標準封裝功率 MOSFET的需求:以較低成本獲得高額定電流和較低通態電阻。

基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強大的第二代溝槽技術,OptiMOS-T2器件成為大電流汽車電機驅動應用、電動助力轉向(EPS)系統和汽車啟停系統的理想解決方案。

出于成本和效率原因,整個行業都開始轉向溝槽設計。OptiMOS-T2等功率MOSFET溝槽技術相對于以往的技術,在通態電阻和柵電荷方面實現了大幅改進。這使得優值系數(FoM=柵電荷x通態電阻)達到業界較低水平。此外,英飛凌創新的大電流“Powerbond”技術可解決MOSFET鍵合引線受限問題,降低鍵合引線通態電阻的降幅,并增強電流功能。通過使鍵合引線更涼能進一步提高可靠性。較新的Powerbond技術可確保一個MOSFET具備多達4條500微米鍵合引線,使標準封裝器件具備180A的額定電流。

OptiMOS-T2技術和結實耐用的封裝經過精心設計,能夠在MSL1 (1級潮濕度)條件下,承受回流焊接過程中的260 °C高溫,并且采用無鉛電鍍,以符合RoHS標準。IPB180N03S4L-H0功率MOSFET完全符合汽車電子委員會(AEC-Q101)的規范要求。英飛凌先進的溝槽技術具備低柵電荷、低電容、低開關損耗和出色的優值系數,可使電機效率達到新高,同時較大限度降低EMC輻射。此外,優化的柵電荷可確保更小的驅動輸出級。

IPB180N03S4L-H0可滿足需要許多并聯MOSFET的大電流應用(超過500A)的要求。由于IPB180N03S4L-H0具備180A額定電流,因此,可使大電流系統所需的并聯MOSFET減少一半,從而優化電流共享、熱性能和成本。由于汽車電機逐步轉向脈寬調制(PWM)控制以提高效率,因此,OptiMOS-T2 30V器件還可提供電池反向連接保護功能。

英飛凌公司標準汽車功率產品營銷總監Torsten Blanke博士指出:“英飛凌具備基于OptiMOS-T2溝槽技術的廣泛汽車MOSFET產品組合。這些器件都采用結實耐用的封裝,具備出類拔萃的性能和品質。通過推出具備180 A 額定電流的全新30V OptiMOS-T2器件,英飛凌再次在較大電流(采用標準封裝)和較低通態電阻(采用溝槽技術)方面樹立了行業標桿!

供貨情況

具備180A漏極電流和僅0.9mΩ通態電阻的30V IPB180N03S4L-H0器件如今已實現批量生產。此外,英飛凌還提供另一種型號的器件——30V/180A (IPB180N03S4L-01)。該器件在10V柵源電壓條件下,具備1.05毫歐的通態電阻,適用于十分注重成本的應用。這兩款高功率MOSFET均采用標準的D2PAK-7封裝。

如欲了解更多信息,敬請登錄:www.infineon.com/automotivemosfet/。

關于英飛凌

總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現代社會的三大科技挑戰領域——高能效、連通性和安全性提供半導體和系統解決方案。2009財年(截止到9月份),公司實現銷售額30.3億歐元,在全球擁有約25,650名雇員。英飛凌科技公司的業務遍及全球,在美國苗必達、亞太地區的新加坡和日本東京等地擁有分支機構。英飛凌公司目前在法蘭克福股票交易所(股票代碼:IFX)和美國柜臺交易市場(OTCQX)International Premier(股票代號:IFNNY)掛牌上市。

英飛凌在中國

英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國市場。自1996年在無錫建立第一家企業以來,英飛凌的業務取得非常迅速的增長,在中國擁有1300多名員工,已經成為英飛凌亞太乃至全球業務發展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋研發、生產、銷售、市場、技術支持等在內的完整的產業鏈,并在銷售、技術研發、人才培養等方面與國內領先的企業、高等院校開展了深入的合作。
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