2010年8月4日，德國紐必堡訊——英飛凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX： IFNNY）近日面向大電流應用的汽車推出一款具備全球較低通態電阻的30V功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件，在10V柵源電壓條件下，漏極電流為180A，而通態電阻僅為0.9毫歐。采用D2PAK-7封裝的IPB180N03S4L-H0，可滿足客戶對標準封裝功率 MOSFET的需求：以較低成本獲得高額定電流和較低通態電阻。

基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強大的第二代溝槽技術，OptiMOS-T2器件成為大電流汽車電機驅動應用、電動助力轉向（EPS）系統和汽車啟停系統的理想解決方案。

出于成本和效率原因，整個行業都開始轉向溝槽設計。OptiMOS-T2等功率MOSFET溝槽技術相對于以往的技術，在通態電阻和柵電荷方面實現了大幅改進。這使得優值系數（FoM=柵電荷x通態電阻）達到業界較低水平。此外，英飛凌創新的大電流“Powerbond”技術可解決MOSFET鍵合引線受限問題，降低鍵合引線通態電阻的降幅，并增強電流功能。通過使鍵合引線更涼能進一步提高可靠性。較新的Powerbond技術可確保一個MOSFET具備多達4條500微米鍵合引線，使標準封裝器件具備180A的額定電流。

OptiMOS-T2技術和結實耐用的封裝經過精心設計，能夠在MSL1 （1級潮濕度）條件下，承受回流焊接過程中的260 °C高溫，并且采用無鉛電鍍，以符合RoHS標準。IPB180N03S4L-H0功率MOSFET完全符合汽車電子委員會（AEC-Q101）的規范要求。英飛凌先進的溝槽技術具備低柵電荷、低電容、低開關損耗和出色的優值系數，可使電機效率達到新高，同時較大限度降低EMC輻射。此外，優化的柵電荷可確保更小的驅動輸出級。

IPB180N03S4L-H0可滿足需要許多并聯MOSFET的大電流應用（超過500A）的要求。由于IPB180N03S4L-H0具備180A額定電流，因此，可使大電流系統所需的并聯MOSFET減少一半，從而優化電流共享、熱性能和成本。由于汽車電機逐步轉向脈寬調制（PWM）控制以提高效率，因此，OptiMOS-T2 30V器件還可提供電池反向連接保護功能。

英飛凌公司標準汽車功率產品營銷總監Torsten Blanke博士指出：“英飛凌具備基于OptiMOS-T2溝槽技術的廣泛汽車MOSFET產品組合。這些器件都采用結實耐用的封裝，具備出類拔萃的性能和品質。通過推出具備180 A 額定電流的全新30V OptiMOS-T2器件，英飛凌再次在較大電流（采用標準封裝）和較低通態電阻（采用溝槽技術）方面樹立了行業標桿。”

供貨情況

具備180A漏極電流和僅0.9mΩ通態電阻的30V IPB180N03S4L-H0器件如今已實現批量生產。此外，英飛凌還提供另一種型號的器件——30V/180A （IPB180N03S4L-01）。該器件在10V柵源電壓條件下，具備1.05毫歐的通態電阻，適用于十分注重成本的應用。這兩款高功率MOSFET均采用標準的D2PAK-7封裝。

如欲了解更多信息，敬請登錄：www.infineon.com/automotivemosfet/。

關于英飛凌

總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現代社會的三大科技挑戰領域——高能效、連通性和安全性提供半導體和系統解決方案。2009財年（截止到9月份），公司實現銷售額30.3億歐元，在全球擁有約25,650名雇員。英飛凌科技公司的業務遍及全球，在美國苗必達、亞太地區的新加坡和日本東京等地擁有分支機構。英飛凌公司目前在法蘭克福股票交易所（股票代碼：IFX）和美國柜臺交易市場（OTCQX）International Premier（股票代號：IFNNY）掛牌上市。

英飛凌在中國

英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國市場。自1996年在無錫建立第一家企業以來，英飛凌的業務取得非常迅速的增長，在中國擁有1300多名員工，已經成為英飛凌亞太乃至全球業務發展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋研發、生產、銷售、市場、技術支持等在內的完整的產業鏈，并在銷售、技術研發、人才培養等方面與國內領先的企業、高等院校開展了深入的合作。