美光推出新型內存支持基于英特爾處理器的平板電腦和上網本
新型2Gb 50納米DDR2內存
為即將上市的英特爾Intel® 凌動™平臺帶來關鍵優勢
美光科技 (Micron Technology, Inc.) 今日宣布推出新型2Gb 50納米的DDR2內存,支持英特爾即將對平板電腦和上網本推出基于Intel® 凌動™ 的Oak Trail平臺。尺寸和電池壽命對于平板電腦市場十分重要,因此,小尺寸、高容量、低功耗的50納米的2Gb DDR2內存將成為該市場的 理想存儲解決方案。
美光的2Gb DDR2產品過渡到更先進的 50 納米制程節點, 反映出美光對市場所需的技術的承諾和持續投資。從1Gb升級到2Gb 的元件除了容量提高,采用50納米制程更有助于降低功耗,并減少內存占用(memory footprint)。
美光DRAM營銷副總裁Robert Feurle指出: “美光2Gb 50納米DDR2器件正是英特爾將推的基于Intel® 凌動™ 的Oak Trail 平臺的較佳搭配。它功耗低、 內存容量高和高性能特性適合繁榮的平板電腦市場。除此之外,美光也正不遺余力地開發50納米系列產品,以繼續支持客戶在這項技術上的創新。”
英特爾移動事業群(Mobile Product Group)總監 Erik Reid 認為,“即將推出的 Intel® 凌動™ ” Oak Trail 平臺是為平板電腦和上網本的輕巧設計而量身打造的。Oak Trail 耗電低且具備適合多任務、豐富媒體(rich media)和互聯網環境的性能,這些特性和優勢結合美光的2Gb 50納米DDR2內存,為滿足雙方客戶的設計需求提供了強大的解決方案。”
美光為客戶開發的DDR2內存維持一貫對質量的高要求,提供優異的性能和多種配置、容量和封裝的選擇。較新型50納米DDR2系列產品包括:
- 從512Mb到2Gb多種容量器件可供選擇,提供X4/X8/X16封裝
- 從1GB到4GB的UDIMM及SODIMM 高容量模塊配置
- 傳輸率高達800 MT/s,為更高的總線速度(Bus Speed)提供遷移路徑
- 支持1.55伏特電壓,降低內存系統耗電
供貨情況:
美光預計于2010年9月開始提供2Gb 50納米DDR2內存樣片,計劃于2010年第四季度正式 量產。
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本新聞稿包含有關美光新2Gb 50納米DDR2內存生產及取得該產品樣本的前瞻性陳述。 實際情況或結果可能與這些前瞻性陳述所含內容不符。請綜合參閱美光不時在證券交易委員會存檔的文件,特別是公司較新的10-K表和10-Q表。這些文件載有并明確指出了可能會使美光實際綜合業績與前瞻性陳述不符的重要因素(參見“某些因素”章節)。盡管我們認為前瞻性陳述中反映的期望是合理的,但我們不能對未來業績、活動水平、表現或成績做出保證。
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