美光科技推出第三代低延時內存
美光與領先芯片組和定制ASIC設計公司合作開發高帶寬、低延時網絡解決方案
2010年7月14日, 北京訊 –美光科技(Micron Technology, Inc)今天推出了第三代低延時DRAM (RLDRAMR 3內存)—一種高帶寬內存技術,能更有效的傳輸網絡信息。視頻內容、移動應用和云計算的蓬勃發展,對網絡基礎設施提出了更高效的要求,以便在線傳輸大量數據。與前幾代產品相比,美光新的RLDRAM 3內存進一步提高了存儲密度和速度,同時較大限度地減少了延遲,降低了功耗,在網絡應用中性能更好。
美光的DRAM營銷副總裁Robert Feurle說:“隨著互聯網內容消費的不斷增長,人們日益需要有一種能支持網絡流量增長的技術,美光的RLDRAM 3內存滿足了這種需求”。
對于現有的RLDRAM 2,美光將繼續提供較高水平的技術支持,并計劃長期生產該產品。此外,美光正將其RLDRAM 2產品組合轉入更先進的50nm工藝,提高系統性能,降低功耗。
RLDRAM 3內存產品特點
美光新的RLDRAM 3內存的主要特點及優點有:
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低延時:tRC不足10納秒,是業界較低的隨機存取延時
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高密度:576Mb-1Gb,靈活性高,可用于多種設計
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高速率:達2133Mb/s,數據存取速度更快
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高能效:1.2V IO和1.35V內核電壓,更省電
構建RLDRAM 合作伙伴網絡
美光維持著龐大的合作伙伴網絡,使其RLDRAM存儲解決方案能更方便地與網絡設備集成。美光與其合作伙伴展開了廣泛合作,為客戶提供量身定制的解決方案,優化網絡系統性能。作為這個價值生態系統的一部分,美光目前合作的領先FPGA公司有Altera Corporation和Xilinx,RLDRAM 3內存可集成到其產品系列中。
Altera組件產品營銷資深總監Luanne Schirrmeister說:“Altera的28nm Stratix V FPGA包括新的硬化數據通路,針對美光內存設有高性能、低延遲接口。RLDRAM 3內存的發布讓我們的內存帶寬可高達1600 Mbps,為行業內較高速度,大幅降低了延時。美光新的存儲產品搭配Altera新的內存接口架構是一項重要技術成果,是我們與美光多年技術合作的一項巔峰之作!
Xilinx應用和技術營銷資深總監Rina Raman說:“Xilinx 7系列FPGA應用于較高級的網絡設備,用于滿足全世界對帶寬無止盡的需求。我們與美光合作,支持其新的RLDRAM 3技術,讓我們的客戶能夠開發網絡平臺,來滿足較嚴格的基礎設施需求!
產品可用性
美光預計將在2011年上半年開始對其RLDRAM 3進行抽樣,目前正與客戶合作,征求其對RLDRAM 3內存設計的意見。此外,美光預計將在2010年第四季度開始對其50nm RLDRAM 2產品進行抽樣。
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了解美光較新消息的途徑有:
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美光的Twitter:http://twitter.com/microntechnews
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關于美光科技(Micron Technology, Inc)
美光科技是世界領先的先進半導體解決方案提供商之一。美光依托全球性運營,制造和銷售一系列DRAM、NAND和NOR閃存、以及其他創新存儲技術、包裝解決方案和和半導體系統,用于前沿計算、消費、聯網和移動產品。美光的普通股在NASDAQ上市交易,代碼為MU。欲了解有關美光的更詳盡信息,請訪問www.micron.com。
美光的logo請見:http://www.globenewswire.com/newsroom/prs/?pkgid=6950。
美光和美光軌道標識屬于美光商標。所有其他商標均為其各自所有者的財產。RLDRAM是Qimonda AG在許多國家的注冊商標,由美光使用,但須經Qimonda授權。
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