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美光科技推出第三代低延時(shí)內(nèi)存

2010年07月14日15:48:47 本網(wǎng)站 我要評(píng)論(2)字號(hào):T | T | T
關(guān)鍵字:應(yīng)用 半導(dǎo)體 

美光與領(lǐng)先芯片組和定制ASIC設(shè)計(jì)公司合作開發(fā)高帶寬、低延時(shí)網(wǎng)絡(luò)解決方案

2010年7月14日, 北京訊 –美光科技(Micron Technology, Inc)今天推出了第三代低延時(shí)DRAM (RLDRAMR 3內(nèi)存)—一種高帶寬內(nèi)存技術(shù),能更有效的傳輸網(wǎng)絡(luò)信息。視頻內(nèi)容、移動(dòng)應(yīng)用和云計(jì)算的蓬勃發(fā)展,對(duì)網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施提出了更高效的要求,以便在線傳輸大量數(shù)據(jù)。與前幾代產(chǎn)品相比,美光新的RLDRAM 3內(nèi)存進(jìn)一步提高了存儲(chǔ)密度和速度,同時(shí)較大限度地減少了延遲,降低了功耗,在網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中性能更好。

美光的DRAM營(yíng)銷副總裁Robert Feurle說:“隨著互聯(lián)網(wǎng)內(nèi)容消費(fèi)的不斷增長(zhǎng),人們?nèi)找嫘枰幸环N能支持網(wǎng)絡(luò)流量增長(zhǎng)的技術(shù),美光的RLDRAM 3內(nèi)存滿足了這種需求”。

對(duì)于現(xiàn)有的RLDRAM 2,美光將繼續(xù)提供較高水平的技術(shù)支持,并計(jì)劃長(zhǎng)期生產(chǎn)該產(chǎn)品。此外,美光正將其RLDRAM 2產(chǎn)品組合轉(zhuǎn)入更先進(jìn)的50nm工藝,提高系統(tǒng)性能,降低功耗。

RLDRAM 3內(nèi)存產(chǎn)品特點(diǎn)

美光新的RLDRAM 3內(nèi)存的主要特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)有:

  • 低延時(shí):tRC不足10納秒,是業(yè)界較低的隨機(jī)存取延時(shí)
  • 高密度:576Mb-1Gb,靈活性高,可用于多種設(shè)計(jì)
  • 高速率:達(dá)2133Mb/s,數(shù)據(jù)存取速度更快
  • 高能效:1.2V IO和1.35V內(nèi)核電壓,更省電

構(gòu)建RLDRAM 合作伙伴網(wǎng)絡(luò)

美光維持著龐大的合作伙伴網(wǎng)絡(luò),使其RLDRAM存儲(chǔ)解決方案能更方便地與網(wǎng)絡(luò)設(shè)備集成。美光與其合作伙伴展開了廣泛合作,為客戶提供量身定制的解決方案,優(yōu)化網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)性能。作為這個(gè)價(jià)值生態(tài)系統(tǒng)的一部分,美光目前合作的領(lǐng)先FPGA公司有Altera Corporation和Xilinx,RLDRAM 3內(nèi)存可集成到其產(chǎn)品系列中。

Altera組件產(chǎn)品營(yíng)銷資深總監(jiān)Luanne Schirrmeister說:“Altera的28nm Stratix V FPGA包括新的硬化數(shù)據(jù)通路,針對(duì)美光內(nèi)存設(shè)有高性能、低延遲接口。RLDRAM 3內(nèi)存的發(fā)布讓我們的內(nèi)存帶寬可高達(dá)1600 Mbps,為行業(yè)內(nèi)較高速度,大幅降低了延時(shí)。美光新的存儲(chǔ)產(chǎn)品搭配Altera新的內(nèi)存接口架構(gòu)是一項(xiàng)重要技術(shù)成果,是我們與美光多年技術(shù)合作的一項(xiàng)巔峰之作。”

Xilinx應(yīng)用和技術(shù)營(yíng)銷資深總監(jiān)Rina Raman說:“Xilinx 7系列FPGA應(yīng)用于較高級(jí)的網(wǎng)絡(luò)設(shè)備,用于滿足全世界對(duì)帶寬無(wú)止盡的需求。我們與美光合作,支持其新的RLDRAM 3技術(shù),讓我們的客戶能夠開發(fā)網(wǎng)絡(luò)平臺(tái),來(lái)滿足較嚴(yán)格的基礎(chǔ)設(shè)施需求。”

產(chǎn)品可用性

美光預(yù)計(jì)將在2011年上半年開始對(duì)其RLDRAM 3進(jìn)行抽樣,目前正與客戶合作,征求其對(duì)RLDRAM 3內(nèi)存設(shè)計(jì)的意見。此外,美光預(yù)計(jì)將在2010年第四季度開始對(duì)其50nm RLDRAM 2產(chǎn)品進(jìn)行抽樣。

相關(guān)鏈接

了解美光較新消息的途徑有:

  • 美光創(chuàng)新博客:www.micronblogs.com
  • 美光的Twitter:http://twitter.com/microntechnews
  • 美光新聞:www.micron.com/media

關(guān)于美光科技(Micron Technology, Inc)

美光科技是世界領(lǐng)先的先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案提供商之一。美光依托全球性運(yùn)營(yíng),制造和銷售一系列DRAM、NAND和NOR閃存、以及其他創(chuàng)新存儲(chǔ)技術(shù)、包裝解決方案和和半導(dǎo)體系統(tǒng),用于前沿計(jì)算、消費(fèi)、聯(lián)網(wǎng)和移動(dòng)產(chǎn)品。美光的普通股在NASDAQ上市交易,代碼為MU。欲了解有關(guān)美光的更詳盡信息,請(qǐng)?jiān)L問www.micron.com。

美光的logo請(qǐng)見:http://www.globenewswire.com/newsroom/prs/?pkgid=6950

美光和美光軌道標(biāo)識(shí)屬于美光商標(biāo)。所有其他商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。RLDRAM是Qimonda AG在許多國(guó)家的注冊(cè)商標(biāo),由美光使用,但須經(jīng)Qimonda授權(quán)。

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