美光與領先芯片組和定制ASIC設計公司合作開發高帶寬、低延時網絡解決方案

2010年7月14日， 北京訊 –美光科技(Micron Technology, Inc)今天推出了第三代低延時DRAM (RLDRAM^R 3內存)—一種高帶寬內存技術，能更有效的傳輸網絡信息。視頻內容、移動應用和云計算的蓬勃發展，對網絡基礎設施提出了更高效的要求，以便在線傳輸大量數據。與前幾代產品相比，美光新的RLDRAM 3內存進一步提高了存儲密度和速度，同時較大限度地減少了延遲，降低了功耗，在網絡應用中性能更好。

美光的DRAM營銷副總裁Robert Feurle說：“隨著互聯網內容消費的不斷增長，人們日益需要有一種能支持網絡流量增長的技術，美光的RLDRAM 3內存滿足了這種需求”。

對于現有的RLDRAM 2，美光將繼續提供較高水平的技術支持，并計劃長期生產該產品。此外，美光正將其RLDRAM 2產品組合轉入更先進的50nm工藝，提高系統性能，降低功耗。

RLDRAM 3內存產品特點

美光新的RLDRAM 3內存的主要特點及優點有：

• 低延時：tRC不足10納秒，是業界較低的隨機存取延時
• 高密度：576Mb-1Gb，靈活性高，可用于多種設計
• 高速率：達2133Mb/s，數據存取速度更快
• 高能效：1.2V IO和1.35V內核電壓，更省電

構建RLDRAM 合作伙伴網絡

美光維持著龐大的合作伙伴網絡，使其RLDRAM存儲解決方案能更方便地與網絡設備集成。美光與其合作伙伴展開了廣泛合作，為客戶提供量身定制的解決方案，優化網絡系統性能。作為這個價值生態系統的一部分，美光目前合作的領先FPGA公司有Altera Corporation和Xilinx，RLDRAM 3內存可集成到其產品系列中。

Altera組件產品營銷資深總監Luanne Schirrmeister說：“Altera的28nm Stratix V FPGA包括新的硬化數據通路，針對美光內存設有高性能、低延遲接口。RLDRAM 3內存的發布讓我們的內存帶寬可高達1600 Mbps，為行業內較高速度，大幅降低了延時。美光新的存儲產品搭配Altera新的內存接口架構是一項重要技術成果，是我們與美光多年技術合作的一項巔峰之作�！�

Xilinx應用和技術營銷資深總監Rina Raman說：“Xilinx 7系列FPGA應用于較高級的網絡設備，用于滿足全世界對帶寬無止盡的需求。我們與美光合作，支持其新的RLDRAM 3技術，讓我們的客戶能夠開發網絡平臺，來滿足較嚴格的基礎設施需求�！�

產品可用性

美光預計將在2011年上半年開始對其RLDRAM 3進行抽樣，目前正與客戶合作，征求其對RLDRAM 3內存設計的意見。此外，美光預計將在2010年第四季度開始對其50nm RLDRAM 2產品進行抽樣。

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關于美光科技(Micron Technology, Inc)

美光科技是世界領先的先進半導體解決方案提供商之一。美光依托全球性運營，制造和銷售一系列DRAM、NAND和NOR閃存、以及其他創新存儲技術、包裝解決方案和和半導體系統，用于前沿計算、消費、聯網和移動產品。美光的普通股在NASDAQ上市交易，代碼為MU。欲了解有關美光的更詳盡信息，請訪問www.micron.com。

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美光和美光軌道標識屬于美光商標。所有其他商標均為其各自所有者的財產。RLDRAM是Qimonda AG在許多國家的注冊商標，由美光使用，但須經Qimonda授權。