作為半導體功率模塊專業供應商，Vincotech今天發布兩款基于900V MOSFET和1200V快速IGBT的并聯升壓模塊，主要應用于光伏逆變器和開關電源。兩款模塊都是基于Vincotech標準flow0封裝。

900V升壓模塊內部集成了900V CoolMOS^TM C3 MOSFETs；1200V升壓模塊內部集成了1200V 快速 IGBTs。

兩款模塊升壓二極管都采用了1200V碳化硅二極管（ SiC），從而大大降低開關損耗，改善了系統EMI特性。在輸入側還分別配置了低導通壓降二極管，從而在高輸入電壓時，進一步提高升壓電路的效率。這些特性使得這兩款模塊非常適合于對效率有高要求的光伏逆變器和開關電源應用。與之配套的輸出逆變器側專用模塊可以在Vincotech網站上找到。

兩款模塊的封裝都是使用了Vincotech標準的兩個卡子的flow0封裝。具體尺寸為66mm * 33mm * 12 mm。 兩款模塊都已經開始量產并可以提供樣品 。

Coolmos是注冊商標。

Vincotech是注冊商標。

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