亚洲精品影院一区二区-亚洲精品永久一区-亚洲精品中文一区不卡-亚洲精品中文字幕久久久久久-国产亚洲精品aaa大片-国产亚洲精品成人a在线

您好,歡迎光臨電子應用網![登錄] [免費注冊] 返回首頁 | | 網站地圖 | 反饋 | 收藏
在應用中實踐
在實踐中成長
  • 應用
  • 專題
  • 產品
  • 新聞
  • 展會
  • 活動
  • 招聘
當前位置:電子應用網 > 新聞中心 > 正文

飛兆半導體MicroFET™ MOSFET以更小占位面積配合便攜設計要求

2010年05月07日11:32:40 本網站 我要評論(2)字號:T | T | T
關鍵字:應用 半導體 

高性能薄型 1.6mm x 1.6mm MOSFET產品系列

 

飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為滿足便攜產品設計人員不斷尋求效率更高、外形更小更薄的解決方案的需求,推出采用超緊湊、薄型(1.6mm x 1.6mm x 0.55mm)封裝的高性能MicroFET MOSFET產品系列。

設計人員使用這一行業領先的產品系列,能夠挑選較適合其應用和設計需求的MicroFET MOSFET產品。新的產品系列備有數種常用的拓撲選擇,包括單P溝道和肖特基二極管組合,單N溝道和肖特基二極管組合、雙P溝道、雙N溝道、互補對(complementary pair)、單N溝道和單P溝道器件。

這些MicroFET MOSFET采用飛兆半導體性能先進的PowerTrench® MOSFET工藝技術,能夠實現非常低的RDS(ON)、總體柵極電荷(QG) 和米勒電荷(QGD),從而獲得出色的傳導和開關性能及熱效率。相比傳統的MOSFET封裝,其先進的MicroFET封裝提供了出色的功耗和傳導損耗特性。

飛兆半導體提供業界較廣泛的具有增強熱性能的超緊湊薄型1.6mm x 1.6mm 和2mm x 2mm MicroFET器件。這些易于使用、節省空間的高性能MOSFET是便攜應用的理想選擇。

價格:見上表

供貨:現提供樣品

交貨期:收到訂單后12

網友評論:已有2條評論 點擊查看
登錄 (請登錄發言,并遵守相關規定)
如果您對新聞頻道有任何意見或建議,請到交流平臺反饋。【反饋意見】
關于我們 | 聯系我們 | 本站動態 | 廣告服務 | 歡迎投稿 | 友情鏈接 | 法律聲明
Copyright (c) 2008-2025 01ea.com.All rights reserved.
電子應用網 京ICP備12009123號-2 京公網安備110105003345號