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IR 推出堅固耐用、具有低導通電阻的汽車用 MOSFET 系列

2010年04月07日11:42:54 本網站 我要評論(2)字號:T | T | T
關鍵字:應用 半導體 汽車 可靠性 

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系列,適用于需要低導通電阻的各種應用,包括電動助力轉向系統 (EPS) 、集成式起動發電機 (ISA) 泵和電機控制、DC-DC 轉換、電池開關,以及內燃機 (ICE) 和混合動力汽車平臺的其它重載應用。

新器件采用了 IR 經過驗證的 Gen 10.2 技術,可提供低至 1.0 mΩ 的導通電阻 (較大) ,在各種表面貼裝器件 (SMD) 和通孔封裝上均可承受 24V 至 100V 的電壓。一些器件還可將 D2Pak-7P 封裝和D2Pak 封裝的較大額定電流分別調整為 240A 和195A。

IR 亞洲區銷售副總裁潘大偉表示:“IR 這些經過優化的汽車專用MOSFET具有低導通電阻,具有寬泛的電壓和封裝。由于其表面形成了鈍化層,因而可以提高可靠性。此外,該器件的材料經過調整、優化后可達到堅固、耐用的效果。”

IR 的 汽車用 MOSFET 將動態和靜態部分的平均測試以及100% 自動晶圓級視覺檢測作為 IR要求零缺陷的汽車質量理念的一部分。AEC-Q101 標準要求導通電阻在經過 1000 次溫度循環測試后,變化幅度不能超過 20%。然而,經過延長測試后,IR 的新款 AU 材料顯示,在 5000 次溫度循環時的較大導通電阻變化少于10%,體現了這款材料的高強度和耐用性。

新器件符合 AEC-Q101 標準,所采用的環保材料既不含鉛,也符合有害物質管制指令 (RoHS) 。


產品基本規格

器件編號

封裝

V(BR)DSS (V)

10VGS 時的

較大導通電阻 (mΩ)

TC 25°C時的較大ID (A)

10VGS 時的QG TYP (nC)

AUIRF1324S-7P

D2Pak-7P

24

1.0

429

180

AUIRF1324S

D2Pak

24

1.65

340

160

AUIRF1324

TO-220

24

1.5

353

160

AUIRF2804S-7P

D2Pak-7P

40

1.6

320

170

AUIRF2804S

D2Pak

40

2.0

270

160

AUIRF2804L

TO-262

40

2.0

270

160

AUIRF2804

TO-220

40

2.0

270

160

AUIRF1404ZS

D2Pak

40

3.7

180

100

AUIRF1404ZL

TO-262

40

3.7

180

100

AUIRF1404Z

TO-220

40

3.7

180

100

AUIRF4104S

D2Pak

40

5.5

120

68

AUIRFR4104

DPak

40

5.5

119

59

AUIRFU4104

I-Pak

40

5.5

119

59

AUIRF4104

TO-220

40

5.5

120

68

AUIRF1010ZS

D2Pak

55

7.5

94

63

AUIRF1010ZL

TO-262

55

7.5

94

63

AUIRF1010Z

TO-220

55

7.5

94

63

AUIRF1010EZS

D2Pak

60

8.5

84

58

AUIRF1010EZ

TO-220

60

8.5

84

58

AUIRF3710ZS

D2Pak

100

18.0

59

82

AUIRFR3710Z

DPak

100

18.0

56

69

AUIRF3710Z

TO-220

100

18.0

59

82

有關產品現已接受批量訂單。新器件的數據表和規格標準已經刊登于IR的網站www.irf.com,IR還準備了Spice 模型供索取。

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