Woburn, 美國馬薩諸塞州， 在硅集成光通信元件供應商中居領先地位的SiFotonicsTM Technologies Co., Ltd.，于2010年3月22日率先發布了具有2.5Gb/s速率、運用于光通信的接收器單片集成芯片TP1001。這款芯片采用工業大規模生產的8英寸硅晶圓制造，集成了應變鍺光電探測器和CMOS跨阻放大器(TIA)。目前，SiFotonicsTM已經在兩個全球一流的半導體晶圓制造專工廠成功制造出此芯片。

　　SiFotonics CEO潘棟博士談到，“目前，工業界生產光接收器都是依賴于兩個芯片來完成：用基于砷化鎵或磷化銦襯底材料的光電探測器和另一個跨阻放大器芯片裝配成ROSA。而SiFotonics克服了眾多的技術挑戰，把這兩種功能在同一硅襯底上成功單片集成，并在世界一流的晶圓專工廠制造實現。我們很高興的宣布，這一款能夠實現2.5Gb/s數據速率的TP1001集成接收器芯片已經通過嚴格的功能和可靠性測試。據我們所知，這是世界上第一款成功運用量產CMOS技術來實現單片集成的光接收器。這一創新的集成芯片運用了美國麻省理工學院在硅基光電領域較先進的研發成果。麻省理工學院在此領域已經投入了多年的領先技術研發，在世界范圍內享有盛譽。我們期望，運用同一研發技術和制造程序，SiFotonicsTM會在很短時間內發布10Gb/s的集成芯片。
　　
　　硅基光電技術領域權威, 美國麻省理工學院材料科學與工程Lionel C. Kimerling教授指出，“這款硅基光電集成芯片的成功是一個很大的成就！它代表的不僅僅是科技上的突破，同時也是制造程序和芯片設計的完美結合。”

　　SiFotonicsTM市場和銷售副總裁Jack Yuan先生展望道，“TP1001為業界掀開了全新的一頁。由于我們可以采用同一CMOS制程把其他功能的專用芯片同TP1001集成，這一產品不但適用于電信傳送，同樣適合于數據通信領域；更值得指出的是，TP1001芯片具有2.5Gb/s速率，能夠以低成本把光傳送數據交換效能引入到對成本非常敏感的應用領域，諸如計算機互連和消費電子等領域。”

　　TP1001是一個2.5Gb/s光接收器單片集成芯片，通過在硅襯底上生長鍺的技術將光電探測器同CMOS TIA集成為一體。該款芯片將使用在光纖輸入的前端，它的功能是將接收的光信號轉換成為電信號，能夠覆蓋4個關鍵波長：650nm，850nm，1310nm，和1550nm。使用標準的CMOS 3.3V電源接口，具有-25dBm的靈敏度和0.9A/W的響應度。其中TIA可提供300 kohm的典型差分增益，整個芯片功耗不超過132mW。該款芯片目前已經有樣品可供試用，將于2010年6月進入量產階段。