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Diodes新型功率MOSFET優(yōu)化低壓操作

2008年10月30日13:16:46 本網(wǎng)站 我要評論(2)字號:T | T | T
關(guān)鍵字:應(yīng)用 通信 電源 

 

Diodes Incorporated全面擴展旗下的功率MOSFET產(chǎn)品系列,加入能夠在各種消費、通信、計算及工業(yè)應(yīng)用中發(fā)揮負(fù)載和切換功能的新型器件。新器件涵蓋Diodes和Zetex產(chǎn)品系列,包括27款30V邏輯電平、9款20V低閾值的N、P和采用不同工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝的互補MOSFET。

這些新型功率MOSFET采用SOT323、SOT23、SOT26和SO8形式封裝,引腳和占位面積與現(xiàn)有器件兼容,性價比具有競爭優(yōu)勢,不僅能減少物料清單,還能在無需額外成本的情況下提升性能。新器件可用于DC/DC轉(zhuǎn)換和一般電源管理功能,有利于LCD電視、筆記本電腦等多種新產(chǎn)品設(shè)計。

Diodes的30V邏輯電平功率MOSFET涵蓋廣泛的通態(tài)電阻范圍,從SOT23 P溝道、10V VGS的190mΩ至SO8 N溝道MOSFET的9mΩ。這些器件在邏輯層操作中的通態(tài)電阻為4.5V VGS,P通道和N通道器件的起動?xùn)艠O臨界電壓分別為-1V和+1V。

20V低閾值MOSFET的通態(tài)電阻規(guī)定為2.5V VGS和1.8V VGS,典型值從SOT23封裝的240mΩ 到SO8封裝的9mΩ。P通道和N通道器件的起動?xùn)艠O臨界電壓分別為-0.6V和+0.6V。

www.diodes.com

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