英特爾和美光科技星期一預計將宣布這兩家公司將推出全球第一個基于25納米NAND閃存技術的芯片。這種25納米的8GB閃存芯片目前還是樣品，預計將在2010年下半年之前開始大批量生產(chǎn)。

作為目前應用的較小的NAND閃存技術，25納米生產(chǎn)工藝與2008年推出的34納米技術相比將顯著減小芯片的尺寸。

這兩家公司稱，這種新的生成工藝能夠在一個只有167平方毫米（能夠穿過CD光盤中間的圓孔）的比1便士硬幣還小的單個NAND芯片上制作8GB的存儲容量。由于這是一種通用的閃存芯片，它可以用于任何需要閃存存儲的設備上，如數(shù)碼相機、MP3播放機和固態(tài)硬盤。

Objective Analysis在研究報告中說，由于芯片的尺寸是167平方毫米，一個300毫米加工廠每個晶圓能夠生產(chǎn)出400多個芯片。這將使生產(chǎn)成本達到每個芯片大約4美元，或者每GB存儲容量0.50美元。由于2009年NAND閃存的價格一直是每GB大約2.00美元，并且似乎在2010年將繼續(xù)保持這個價格，25納米生產(chǎn)工藝將給這兩家公司帶來比目前的34納米工藝更高的毛利潤率。目前34納米芯片的成本預計是每GB存儲容量1.00美元。

美光科內(nèi)存事業(yè)部技副總裁Brian Shirley上周四解釋25納米芯片技術時說，如果人類的一根頭發(fā)是1英里寬，25納米技術就相當于21英寸。

這種新的閃存技術大約是容量較大的34納米芯片密度的一倍，但是使用的芯片是一樣大的。這種25納米芯片支持開放NAND閃存接口2.2標準，吞吐量為每秒200MB。

這種25納米芯片將由英特爾和美光科技在2006年創(chuàng)建的合資企業(yè)IM Flash Technologies生產(chǎn)。這個合作企業(yè)在創(chuàng)建時是使用的50納米生產(chǎn)工藝，現(xiàn)在是第三次減小生產(chǎn)工藝尺寸。