ARM和IBM將合作開發32nm和28nm工藝SoC
據日經BP社報道,英國ARM于2008年10月21日在東京舉行新聞發布會,與美國IBM等共同介紹了32nm、28nm工藝SoC(系統芯片)設計平臺的合作開發詳細內容。
共同開發的具體內容是:兩公司將面向IBM、新加坡特許半導體(Chartered Semiconductor Manufacturing)和韓國三星電子采用的Bulk CMOS通用制造平臺“Common Platform”,共同開發對于32nm、28nm工藝技術來說為較優化的物理IP(標準單元和Memory Generator等)。
ARM此前也推出過支持Common Platform的物理IP。包括90nm工藝、65nm工藝和45nm工藝的物理IP。不過此前是在確定工藝技術的細節之后,把通用物理IP合并到該工藝中得到的。
而在此次面向32nm、28nm工藝的合作中,需要在工藝技術開發的同時,進行物理IP的布局(Layout)優化工作等。這樣,可充分發揮出制造工藝的實力,提高質量和可靠性。
32nm的量產將從2009年底之后開始
針對商用物理IP的專用化,ARM的物理IP業務的競爭者——美國Virag
出席此次新聞發布會的IBM的R(Jaga) Jagannathan(32nm、65nm技術開發部門經理)介紹了采用通用平臺的32nm工藝等。此項技術采用high-k柵極絕緣膜和金屬柵極。通過使用high-k材料和金屬柵極,性能提高了35%左右,耗電量約降低約50%。
R(Jaga) Jagannathan同時表示,采用該工藝的試制芯片Shuttle Service將從2008年第3季度開始。另外他還表示,已采用IBM的32nm低耗電工藝試制出了ARM處理器內核“Cortex-M3”。該試制芯片名為“Cassini”。基于通用平臺的32nm工藝量產將從2009年年底開始。
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