ARM和IBM將合作開發(fā)32nm和28nm工藝SoC
據(jù)日經(jīng)BP社報(bào)道,英國(guó)ARM于2008年10月21日在東京舉行新聞發(fā)布會(huì),與美國(guó)IBM等共同介紹了32nm、28nm工藝SoC(系統(tǒng)芯片)設(shè)計(jì)平臺(tái)的合作開發(fā)詳細(xì)內(nèi)容。
共同開發(fā)的具體內(nèi)容是:兩公司將面向IBM、新加坡特許半導(dǎo)體(Chartered Semiconductor Manufacturing)和韓國(guó)三星電子采用的Bulk CMOS通用制造平臺(tái)“Common Platform”,共同開發(fā)對(duì)于32nm、28nm工藝技術(shù)來(lái)說(shuō)為較優(yōu)化的物理IP(標(biāo)準(zhǔn)單元和Memory Generator等)。
ARM此前也推出過(guò)支持Common Platform的物理IP。包括90nm工藝、65nm工藝和45nm工藝的物理IP。不過(guò)此前是在確定工藝技術(shù)的細(xì)節(jié)之后,把通用物理IP合并到該工藝中得到的。
而在此次面向32nm、28nm工藝的合作中,需要在工藝技術(shù)開發(fā)的同時(shí),進(jìn)行物理IP的布局(Layout)優(yōu)化工作等。這樣,可充分發(fā)揮出制造工藝的實(shí)力,提高質(zhì)量和可靠性。
32nm的量產(chǎn)將從2009年底之后開始
針對(duì)商用物理IP的專用化,ARM的物理IP業(yè)務(wù)的競(jìng)爭(zhēng)者——美國(guó)Virag
出席此次新聞發(fā)布會(huì)的IBM的R(Jaga) Jagannathan(32nm、65nm技術(shù)開發(fā)部門經(jīng)理)介紹了采用通用平臺(tái)的32nm工藝等。此項(xiàng)技術(shù)采用high-k柵極絕緣膜和金屬柵極。通過(guò)使用high-k材料和金屬柵極,性能提高了35%左右,耗電量約降低約50%。
R(Jaga) Jagannathan同時(shí)表示,采用該工藝的試制芯片Shuttle Service將從2008年第3季度開始。另外他還表示,已采用IBM的32nm低耗電工藝試制出了ARM處理器內(nèi)核“Cortex-M3”。該試制芯片名為“Cassini”。基于通用平臺(tái)的32nm工藝量產(chǎn)將從2009年年底開始。
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