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ARM和IBM將合作開發(fā)32nm和28nm工藝SoC

2008年10月25日14:42:17 本網(wǎng)站 我要評論(2)字號:T | T | T
關(guān)鍵字:半導體 可靠性 

據(jù)日經(jīng)BP社報道,英國ARM于2008年10月21日在東京舉行新聞發(fā)布會,與美國IBM等共同介紹了32nm、28nm工藝SoC(系統(tǒng)芯片設計平臺的合作開發(fā)詳細內(nèi)容。

共同開發(fā)的具體內(nèi)容是:兩公司將面向IBM、新加坡特許半導體(Chartered Semiconductor Manufacturing)和韓國三星電子采用的Bulk CMOS通用制造平臺“Common Platform”,共同開發(fā)對于32nm、28nm工藝技術(shù)來說為較優(yōu)化的物理IP(標準單元和Memory Generator等)。

ARM此前也推出過支持Common Platform的物理IP。包括90nm工藝、65nm工藝和45nm工藝的物理IP。不過此前是在確定工藝技術(shù)的細節(jié)之后,把通用物理IP合并到該工藝中得到的。

而在此次面向32nm、28nm工藝的合作中,需要在工藝技術(shù)開發(fā)的同時,進行物理IP的布局(Layout)優(yōu)化工作等。這樣,可充分發(fā)揮出制造工藝的實力,提高質(zhì)量和可靠性。

32nm的量產(chǎn)將從2009年底之后開始

針對商用物理IP的專用化,ARM的物理IP業(yè)務的競爭者——美國Virag

e Logic也同時在美國做了技術(shù)發(fā)布。對此,此次新聞發(fā)布會上ARM的Thomas R. Lantzsch(物理IP市場營銷副總裁)表示,這是“水平分工的半導體產(chǎn)業(yè)開始統(tǒng)合”的一個環(huán)節(jié)。

出席此次新聞發(fā)布會的IBM的R(Jaga) Jagannathan(32nm、65nm技術(shù)開發(fā)部門經(jīng)理)介紹了采用通用平臺的32nm工藝等。此項技術(shù)采用high-k柵極絕緣膜和金屬柵極。通過使用high-k材料和金屬柵極,性能提高了35%左右,耗電量約降低約50%。

R(Jaga) Jagannathan同時表示,采用該工藝的試制芯片Shuttle Service將從2008年第3季度開始。另外他還表示,已采用IBM的32nm低耗電工藝試制出了ARM處理器內(nèi)核“Cortex-M3”。該試制芯片名為“Cassini”。基于通用平臺的32nm工藝量產(chǎn)將從2009年年底開始。

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