為了加快18吋晶圓廠的發(fā)展速度，Sematech等國際性半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)聯(lián)盟已著手為450mm晶圓制定初步標準。但18吋晶圓時代的來臨，可能會因芯片產(chǎn)業(yè)低迷與眼前的全球經(jīng)濟危機而延遲。

 在此同時，Sematech、SEMI與芯片產(chǎn)業(yè)已經(jīng)達成共識，將18吋晶圓厚度的機械標準(mechanical standard)訂為925微米(micron)、正負25微米；而12吋晶圓的厚度標準則為775微米。

積極推動下一代晶圓尺寸的英特爾材料首席工程師Michael Goldstein標準，標準對18吋晶圓來說是一個發(fā)展關(guān)鍵，可用來做為開發(fā)18吋晶圓廠使用的晶圓處理系統(tǒng)的基準。英特爾也是Sematech的成員。

 在十一月，產(chǎn)業(yè)界亦將邁向下一步，針對18吋測試晶圓(test wafer)的厚度進行投票，而925微米似乎仍是主要目標；Goldstein表示他們并不希望有太大的改變。再接下來，產(chǎn)業(yè)界還必須決定量產(chǎn)晶圓(production wafer)的厚度標準；時間大概是在2010到2011年之間。

為了迎接18吋晶圓時代，Sematech去年宣布將建構(gòu)一個工廠整合

測試平臺(factory integration test bed)，來進行18吋晶圓工具的開發(fā)。該平臺能供芯片設(shè)備制造商開發(fā)第一代的晶圓自動化工具，例如搬運系統(tǒng)等。

 18吋晶圓工具的間距規(guī)格(pitch specification)提案為10mm，而Sematech打算提出9.2mm的間距規(guī)格，以及0.353的晶圓deflective sag值。去年，Sematech提議的間距規(guī)格為9.4mm，晶圓晶圓deflective sag值為0.613。

18吋晶圓的重量為330公克，這個數(shù)據(jù)可能會導(dǎo)致晶圓處理系統(tǒng)的基板彎曲或下陷，而關(guān)鍵是強化基板與處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)，使其能夠抵抗下陷的問題。

然而18吋晶圓廠究竟是否會誕生仍有待觀察；根據(jù)媒體報導(dǎo)，英特爾、臺積電(TSMC)與三星都打算在2012年前后建立18吋晶圓的“原型廠”，但也有人認為18吋晶圓廠永遠不會實現(xiàn)，因為研發(fā)費用實在是太昂貴。 Gartner分析師Dean Freeman表示，如果18吋晶圓真的誕生了，首座量產(chǎn)晶圓廠可能會采用8或是5納米制程節(jié)點，而時間點大概落在2017至2019年之間。而他估計，催生18吋晶圓的代價大約在200億至400億美元。