為了加快18吋晶圓廠的發(fā)展速度，Sematech等國(guó)際性半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)聯(lián)盟已著手為450mm晶圓制定初步標(biāo)準(zhǔn)。但18吋晶圓時(shí)代的來(lái)臨，可能會(huì)因芯片產(chǎn)業(yè)低迷與眼前的全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)而延遲。

 在此同時(shí)，Sematech、SEMI與芯片產(chǎn)業(yè)已經(jīng)達(dá)成共識(shí)，將18吋晶圓厚度的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)(mechanical standard)訂為925微米(micron)、正負(fù)25微米；而12吋晶圓的厚度標(biāo)準(zhǔn)則為775微米。

積極推動(dòng)下一代晶圓尺寸的英特爾材料首席工程師Michael Goldstein標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)準(zhǔn)對(duì)18吋晶圓來(lái)說(shuō)是一個(gè)發(fā)展關(guān)鍵，可用來(lái)做為開(kāi)發(fā)18吋晶圓廠使用的晶圓處理系統(tǒng)的基準(zhǔn)。英特爾也是Sematech的成員。

 在十一月，產(chǎn)業(yè)界亦將邁向下一步，針對(duì)18吋測(cè)試晶圓(test wafer)的厚度進(jìn)行投票，而925微米似乎仍是主要目標(biāo)；Goldstein表示他們并不希望有太大的改變。再接下來(lái)，產(chǎn)業(yè)界還必須決定量產(chǎn)晶圓(production wafer)的厚度標(biāo)準(zhǔn)；時(shí)間大概是在2010到2011年之間。

為了迎接18吋晶圓時(shí)代，Sematech去年宣布將建構(gòu)一個(gè)工廠整合

測(cè)試平臺(tái)(factory integration test bed)，來(lái)進(jìn)行18吋晶圓工具的開(kāi)發(fā)。該平臺(tái)能供芯片設(shè)備制造商開(kāi)發(fā)第一代的晶圓自動(dòng)化工具，例如搬運(yùn)系統(tǒng)等。

 18吋晶圓工具的間距規(guī)格(pitch specification)提案為10mm，而Sematech打算提出9.2mm的間距規(guī)格，以及0.353的晶圓deflective sag值。去年，Sematech提議的間距規(guī)格為9.4mm，晶圓晶圓deflective sag值為0.613。

18吋晶圓的重量為330公克，這個(gè)數(shù)據(jù)可能會(huì)導(dǎo)致晶圓處理系統(tǒng)的基板彎曲或下陷，而關(guān)鍵是強(qiáng)化基板與處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)，使其能夠抵抗下陷的問(wèn)題。

然而18吋晶圓廠究竟是否會(huì)誕生仍有待觀察；根據(jù)媒體報(bào)導(dǎo)，英特爾、臺(tái)積電(TSMC)與三星都打算在2012年前后建立18吋晶圓的“原型廠”，但也有人認(rèn)為18吋晶圓廠永遠(yuǎn)不會(huì)實(shí)現(xiàn)，因?yàn)檠邪l(fā)費(fèi)用實(shí)在是太昂貴。 Gartner分析師Dean Freeman表示，如果18吋晶圓真的誕生了，首座量產(chǎn)晶圓廠可能會(huì)采用8或是5納米制程節(jié)點(diǎn)，而時(shí)間點(diǎn)大概落在2017至2019年之間。而他估計(jì)，催生18吋晶圓的代價(jià)大約在200億至400億美元。