全球先進記憶體技術的領導品牌三星電子股份有限公司，今天于臺北六福皇宮酒店舉辦的第六屆三星行動解決方案論壇中宣布，已在較近兩個月內增產其具專利的1Gigabit (Gb) OneDRAMTM融合記憶體。

 

三星電子公司記憶體事業部行動記憶體企劃處副總裁Sei-Jin Kim表示：“各界對于OneDRAMTM解決方案的興趣日益增加，而OneDRAMTM正展現了三星一向兼顧手機的功能與創新設計，例如這次我們就將超快的速度與可觀的省電技術結合在極具效率的1 Gb套件中。” 

 

三星60奈米級OneDRAMTM較先發表于2008年，其運作效率的增益對于智能手機這類復雜的多媒體手機而言尤具經濟效益，因為這組晶片的166MHz超快處理速度，不但具備處理器順暢的實際操作，更便利了全網頁瀏覽與視頻會議等功能。

 

針對高速網路環境下使用的手機、3D影像傳輸、或是必須以超高速處理大量資料的高解析視頻與高像素影像等場合所采用的OneDRAMTM，更能展現其不凡的效能優勢。

 

三星這次在行動解決方案論壇中展示的1Gb OneDRAMTM ，其資料傳輸速率可達1.3GBps，較先前發表的512Mb版本足足快上20%，更比傳統的雙接口RAM平臺快上七倍之多。

 

三星這套OneDRAMTM平臺所需要的整體晶片數目較少，因此其印刷電路板的面積大約只有傳統手機電路板的三分之二。而為了追求價格較低廉的解決方案，三星也以層疊封裝（package-on-package，PoP）解決方案，提供OneDRAMTM處理器，搭配NAND快閃記憶體或OneNANDTM記憶體，高度只有1.5mm，將整個印刷電路板的面積減少了40%。這套層疊封裝PoP解決方案能使效能提高七倍，用電量卻減少了30%。 

 

OneDRAMTM的內部界面符合JEDEC的低耗電雙倍資料傳輸速率(LPDDR)記憶體標準，透過OneDRAMTM晶片內部的共用區傳輸各個處理器之間的資料，因此在傳輸資料時并不需要DRAM及雙接口RAM晶片。